通富微電子股份有限公司江倩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉通富微電子股份有限公司申請的專利缺陷定位方法、缺陷分析方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115223880B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210777146.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/66;該發(fā)明授權(quán)缺陷定位方法、缺陷分析方法及系統(tǒng)是由江倩;吳明敏;蔡鐘賢設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-06-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本缺陷定位方法、缺陷分析方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了:本申請公開了一種缺陷定位方法、缺陷分析方法及系統(tǒng),該缺陷定位方法包括:從半導(dǎo)體器件的第一表面一側(cè)獲得缺陷區(qū)域的第一位置信息;其中,半導(dǎo)體器件包括經(jīng)過隱形激光切割形成的切割面,半導(dǎo)體器件包括相背設(shè)置的第一表面和第二表面,切割面位于第一表面和第二表面之間并與第一表面連接;從第一表面一側(cè)對半導(dǎo)體器件進(jìn)行多次拋光,并獲取每次拋光后半導(dǎo)體器件拋光表面的晶體結(jié)構(gòu)異常區(qū)域的第二位置信息;基于第一位置信息、多個第二位置信息和切割面獲得缺陷發(fā)生起始區(qū)域。通過上述方式,本申請能夠定位隱形激光切割過程中缺陷發(fā)生起始區(qū)域,以助于對隱形激光切割過程中的散射缺陷進(jìn)行分析。
本發(fā)明授權(quán)缺陷定位方法、缺陷分析方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種缺陷定位方法,其特征在于,包括: 從半導(dǎo)體器件的第一表面一側(cè)獲得缺陷區(qū)域的第一位置信息;其中,所述半導(dǎo)體器件包括經(jīng)過隱形激光切割形成的切割面,所述半導(dǎo)體器件包括相背設(shè)置的所述第一表面和第二表面,所述切割面位于所述第一表面和所述第二表面之間并與所述第一表面連接; 從所述第一表面一側(cè)對所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行多次拋光,并獲取每次拋光后所述半導(dǎo)體器件拋光表面的晶體結(jié)構(gòu)異常區(qū)域的第二位置信息; 基于所述第一位置信息、多個所述第二位置信息和所述切割面獲得缺陷發(fā)生起始區(qū)域; 其中,所述從半導(dǎo)體器件的第一表面一側(cè)獲得缺陷區(qū)域的第一位置信息的步驟,包括:獲取所述半導(dǎo)體器件的所述第一表面的熱成像圖;基于所述熱成像圖確定所述缺陷區(qū)域的所述第一位置信息;其中,所述缺陷區(qū)域?yàn)樗鰺岢上駡D中溫度大于溫度閾值的區(qū)域; 其中,所述獲取每次拋光后所述半導(dǎo)體器件拋光表面的晶體結(jié)構(gòu)異常區(qū)域的第二位置信息的步驟,包括:獲得每次拋光后所述半導(dǎo)體器件的拋光表面的透射圖像;基于所述透射圖像獲取拋光后所述拋光表面的至少部分區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)信息;基于所述晶體結(jié)構(gòu)信息獲得晶體結(jié)構(gòu)異常區(qū)域;將所述晶體結(jié)構(gòu)異常區(qū)域的中心點(diǎn)坐標(biāo)作為所述第二位置信息; 其中,所述基于所述第一位置信息、多個所述第二位置信息和所述切割面獲得缺陷發(fā)生起始區(qū)域的步驟,包括:將所述第一位置信息和多個所述第二位置信息擬合成直線;將所述直線與所述切割面的交接點(diǎn)作為所述缺陷發(fā)生起始區(qū)域的目標(biāo)中心點(diǎn);獲得所述缺陷發(fā)生起始區(qū)域;其中,所述缺陷發(fā)生起始區(qū)域內(nèi)任意位置與所述目標(biāo)中心點(diǎn)的距離小于或等于距離閾值。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人通富微電子股份有限公司,其通訊地址為:226000 江蘇省南通市崇川路288號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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