西湖大學朱博文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西湖大學申請的專利一種正負雙向光響應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115188890B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210839897.1，技術領域涉及：H10K30/65；該發明授權一種正負雙向光響應晶體管及其制備方法是由朱博文;李定威;孟磊設計研發完成，并于2022-07-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種正負雙向光響應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種正負雙向光響應晶體管及其制備方法，晶體管包括重摻雜導電硅襯底，所述重摻雜導電硅襯底上沉積有二氧化硅介電層，所述二氧化硅介電層上布設有第一光響應結構，所述第一光響應結構上布設有第二光響應結構。本發明的光電晶體管可以通過雙向光響應來實現紫外線和紅外光的區分，其中對紫外線產生正響應，對紅外線產生負響應，與現有的低維材料或者電路設計結構相比，成本低且結構簡單；且制備方法使用溶液法處理得到超薄的氧化銦層和有機物薄膜，相比于傳統的真空設備制備方法工藝成本低。
本發明授權一種正負雙向光響應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種正負雙向光響應晶體管，其特征在于：包括重摻雜導電硅襯底，所述重摻雜導電硅襯底上沉積有二氧化硅介電層，所述二氧化硅介電層上布設有第一光響應結構，所述第一光響應結構上布設有第二光響應結構；所述第一光響應結構包括沉積在所述二氧化硅介電層上的N型半導體溝道和布設在所述N型半導體溝道上的源漏電極，所述源漏電極與所述N型半導體溝道形成肖特基結；所述第二光響應結構為具有一定波長光吸收能力的有機物層；所述有機物層為具有近紅外吸收能力的有機聚合物層或小分子層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西湖大學，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市西湖區轉塘街道石龍山街18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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