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龍圖騰網(wǎng)獲悉重慶理工大學(xué)申請(qǐng)的專利一種新型半橋單元及其控制方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115441730B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211144750.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M3/156；該發(fā)明授權(quán)一種新型半橋單元及其控制方法是由王濤;陳劍鋒;余佳穎;陳相潛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-09-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種新型半橋單元及其控制方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種新型半橋單元及其控制方法，屬于電力電子變換器領(lǐng)域。該新型半橋單元包括兩個(gè)相互電性連接的可控開關(guān)單元，每個(gè)可控開關(guān)單元均由不少于兩個(gè)的可控開關(guān)管并聯(lián)構(gòu)成。該新型半橋單元在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)，兩個(gè)可控開關(guān)單元交替導(dǎo)通，其內(nèi)的可控開關(guān)管也隨之交替導(dǎo)通。本發(fā)明通過新型半橋單元的交替導(dǎo)通方式，可使變換器的等效輸出開關(guān)頻率增加，減小了無源器件的體積，降低了開關(guān)管結(jié)溫，提高了功率密度。

本發(fā)明授權(quán)一種新型半橋單元及其控制方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種新型半橋單元，其特征在于：包括相互電性連接的第一可控開關(guān)單元和第二可控開關(guān)單元；所述第一可控開關(guān)單元包括可控開關(guān)管Q1～Qn，Q1～Qn呈并聯(lián)連接；所述第二可控開關(guān)單元包括可控開關(guān)管呈并聯(lián)連接；其中n≥2；各所述可控開關(guān)管的柵極單獨(dú)接入控制信號(hào)； 在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)，所述第一可控開關(guān)單元與第二可控開關(guān)單元交替導(dǎo)通；所述第一可控開關(guān)單元或第二可控開關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)，只導(dǎo)通其內(nèi)的一個(gè)可控開關(guān)管，且可控開關(guān)管Q1～Qn以及交替導(dǎo)通，相位相差π，如下式所示： 式中，1表示可控開關(guān)管導(dǎo)通，0表示可控開關(guān)管關(guān)斷； 所述可控開關(guān)管為MOSFET或IGBT。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人重慶理工大學(xué)，其通訊地址為：400054 重慶市巴南區(qū)紅光大道69號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。