北京元芯碳基集成電路研究院;北京華碳元芯電子科技有限責任公司劉洪剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京元芯碳基集成電路研究院;北京華碳元芯電子科技有限責任公司申請的專利碳納米管射頻場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115528062B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211176690.7，技術領域涉及：H10K19/10；該發明授權碳納米管射頻場效應晶體管及其制備方法是由劉洪剛;夏慶貞;翟明龍;張志勇;彭練矛設計研發完成，并于2022-09-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本碳納米管射頻場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種碳納米管射頻場效應晶體管及其制備方法。本公開實施例的碳納米管射頻場效應晶體管包括：襯底、絕緣介質層、碳納米管有源層、源端接觸層、源端導電層、漏端接觸層、柵介質層、T型金屬柵、背面通孔和背面金屬層。本公開實施例的碳納米管射頻場效應晶體管具有較小的寄生電感、較小的柵電阻和較小的襯底寄生電容，可適用于諸如微波毫米波等射頻應用領域。
本發明授權碳納米管射頻場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種碳納米管射頻場效應晶體管，其特征在于，包括： 襯底； 絕緣介質層，設置于所述襯底的第一側； 碳納米管有源層，設置于所述絕緣介質層之上且作為所述碳納米管射頻場效應晶體管的溝道層； 源端接觸層，設置在所述碳納米管有源層上的兩端區域； 源端導電層，設置所述源端接觸層之上； 漏端接觸層，設置在所述碳納米管有源層上的中間區域并與所述源端接觸層隔開； 柵介質層，設置在所述碳納米管有源層上且位于所述源端接觸層與所述漏端接觸層之間的區域； T型金屬柵，設置在源端接觸層與漏端接觸層之間的區域且柵腳設置在所述柵介質層之上； 背面通孔，設置在所述碳納米管有源層的兩端區域，內表面覆蓋有金屬導電層，頂部與所述源端接觸層相連，側面向下延伸依次穿過所述碳納米管有源層、絕緣介質層和所述襯底； 背面金屬層，設置在所述襯底的第二側，通過所述背面通孔連接至所述源端接觸層以形成所述碳納米管射頻場效應晶體管的地平面，所述第二側與所述第一側相對。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京元芯碳基集成電路研究院;北京華碳元芯電子科技有限責任公司，其通訊地址為：100195 北京市海淀區杏石口路80號益園B1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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