桂林電子科技大學張隆輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉桂林電子科技大學申請的專利一種電控轉換的太赫茲單頻-雙頻-三頻帶通濾波器獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115663428B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202211388757.3,技術領域涉及:H01P1/20;該發(fā)明授權一種電控轉換的太赫茲單頻-雙頻-三頻帶通濾波器是由張隆輝;張宇凡;胡放榮;江明珠;習晨悅設計研發(fā)完成,并于2022-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電控轉換的太赫茲單頻-雙頻-三頻帶通濾波器在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開一種電控轉換的太赫茲單頻?雙頻?三頻帶通濾波器,由高阻硅層、聚酰亞胺層、共地電極和頻率控制結構組成。聚酰亞胺層和高阻硅層相疊置,且聚酰亞胺層的下表面與高阻硅層的上表面相貼;頻率控制結構疊置于聚酰亞胺層的上表面,共地電極疊置于高阻硅層的下表面。頻率控制結構的2個電極貼片分別經由1個開關與直流穩(wěn)壓電源的正極連接,共地電極直接與直流穩(wěn)壓電源的負極連接。與現有技術相比,本發(fā)明可實現多頻率的濾波,適用于不同場合,結構簡單,操作方便。
本發(fā)明授權一種電控轉換的太赫茲單頻-雙頻-三頻帶通濾波器在權利要求書中公布了:1.一種電控轉換的太赫茲單頻-雙頻-三頻帶通濾波器,其特征是,該帶通濾波器由共地電極(1)、高阻硅層(2)、聚酰亞胺層(3)和頻率控制結構(4)組成;共地電極(1)疊置于高阻硅層(2)的下表面,高阻硅層(2)和聚酰亞胺層(3)相疊置,且高阻硅層(2)的上表面與聚酰亞胺層(3)的下表面相貼;頻率控制結構(4)疊置于聚酰亞胺層(3)的上表面; 頻率控制結構(4)包括表面周期結構和引出結構; 表面周期結構處于頻率控制結構(4)的中部,且由多個呈規(guī)則矩陣排列的透射單元組成;每個透射單元均由2個金屬貼片(41)和2個石墨烯貼片(42)構成; 每個金屬貼片(41)均為金屬材料制成的幾字形片狀;2個金屬貼片(41)相互背向設置即2個金屬貼片(41)的幾字形開口的朝向相反,且兩者之間所形成的透射間隙呈S形;2個金屬貼片(41)的幾字形開口寬度不同,將幾字形開口寬度大的金屬貼片(41)定義為低頻金屬貼片,將幾字形開口寬度小的金屬貼片(41)定義為高頻金屬貼片; 每個石墨烯貼片(42)均為石墨烯材料制成的長條形片狀;2個石墨烯貼片(42)分別設置在2個金屬貼片(41)的幾字形開口處,并令金屬貼片(41)的幾字形開口閉合; 引出結構處于表面周期結構的相對外側,且由2個電極貼片(43)組成;每個電極貼片(43)均為金屬材料制成的梳齒形片狀;2個電極貼片(43)分別與所有透射單元同一金屬貼片(41)相連,即:一個電極貼片(43)即低頻電極貼片與所有透射單元的低頻金屬貼片相連,另一個電極貼片(43)即高頻電極貼片與所有透射單元的高頻金屬貼片相連; 共地電極(1)為金屬材料制成的閉合環(huán)形片狀; 頻率控制結構(4)的2個電極貼片(43)分別經由1個開關與直流穩(wěn)壓電源的正極連接,共地電極(1)直接與直流穩(wěn)壓電源的負極連接; 當低頻電極貼片和高頻電極貼片均不通電時,對應二進制編碼00,帶通濾波器的低頻透射頻率、中頻透射頻率和高頻透射頻率均為高透射峰,此時帶通濾波器為三通道帶通濾波器; 當低頻電極貼片通電,高頻電極貼片不通電時,對應二進制編碼01,帶通濾波器的中頻透射頻率和高頻透射頻率均為高透射峰,低頻透射頻率為低透射峰,此時帶通濾波器為雙通道帶通濾波器; 當低頻電極貼片不通電,高頻電極貼片通電時,對應二進制編碼10,帶通濾波器的中頻透射頻率和低頻透射頻率均為高透射峰,高頻透射頻率為低透射峰,此時帶通濾波器為雙通道帶通濾波器; 當低頻電極貼片和高頻電極貼片均通電時,對應二進制編碼11,帶通濾波器的低頻透射頻率和高頻透射頻率均為低透射峰,中頻透射頻率為高透射峰,此時帶通濾波器為單通道帶通濾波器。
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