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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東云海國創(chuàng)云計(jì)算裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司申請的專利一種提高晶圓圖案套刻精度的量測方法、系統(tǒng)及終端獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115692234B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202211447017.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)一種提高晶圓圖案套刻精度的量測方法、系統(tǒng)及終端是由陳國強(qiáng);沈力;姚香君;夏麗煖;煙曉鳳;姜寶來;覃耀;張楠;張世凱設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種提高晶圓圖案套刻精度的量測方法、系統(tǒng)及終端在說明書摘要公布了：本申請公開了一種提高晶圓圖案套刻精度的量測方法、系統(tǒng)及終端，該方法包括：定義芯片中包括多種光刻膠；對(duì)涂覆有任一光刻膠的晶圓進(jìn)行原子層沉積和CD?SEM測量，獲取參考線寬；對(duì)涂覆有光刻膠的另一晶圓進(jìn)行CD?SEM測量，通過調(diào)整量測參數(shù)，使任一光刻膠的實(shí)際線寬相比于參考線寬的收縮尺寸為1?3nm；記錄與任一光刻膠相匹配的量測參數(shù)；匯總芯片中每種光刻膠所匹配的量測參數(shù)構(gòu)建量測參數(shù)數(shù)據(jù)庫；根據(jù)量測參數(shù)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行光刻膠圖案測量。該系統(tǒng)包括：定義模塊、參考線寬獲取模塊、收縮尺寸限定模塊、量測參數(shù)記錄模塊、量測參數(shù)數(shù)據(jù)庫構(gòu)建模塊以及光刻膠圖案測量模塊。通過本申請，能夠消除相鄰層的光刻膠之間由于CD?SEM量測所導(dǎo)致的誤差，從而大大提高套刻精度。

本發(fā)明授權(quán)一種提高晶圓圖案套刻精度的量測方法、系統(tǒng)及終端在權(quán)利要求書中公布了：1.一種提高晶圓圖案套刻精度的量測方法，其特征在于，所述方法包括： 定義芯片中包括多種光刻膠； 對(duì)涂覆有任一光刻膠的晶圓進(jìn)行原子層沉積和CD-SEM測量，獲取所述任一光刻膠的參考線寬； 對(duì)涂覆有所述任一光刻膠的另一晶圓進(jìn)行CD-SEM測量，通過調(diào)整量測參數(shù)，使所述任一光刻膠的實(shí)際線寬相比于所述參考線寬的收縮尺寸為1-3nm，所述量測參數(shù)包括：加速電壓和電子束密度； 記錄與所述任一光刻膠相匹配的量測參數(shù)； 匯總所述芯片中每種光刻膠所匹配的量測參數(shù)，構(gòu)建量測參數(shù)數(shù)據(jù)庫； 根據(jù)所述量測參數(shù)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行光刻膠圖案測量。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人山東云海國創(chuàng)云計(jì)算裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司，其通訊地址為：250101 山東省濟(jì)南市中國（山東）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)濟(jì)南片區(qū)浪潮路1036號(hào)浪潮科技園S01樓35層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。