深港產學研基地(北京大學香港科技大學深圳研修院);深圳市優威芯電子科技有限公司于潛行獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深港產學研基地(北京大學香港科技大學深圳研修院);深圳市優威芯電子科技有限公司申請的專利一種深紫外LED器件封裝工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115863521B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211545628.0，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種深紫外LED器件封裝工藝是由于潛行;邱幸;李世瑋設計研發完成，并于2022-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種深紫外LED器件封裝工藝在說明書摘要公布了：本發明一種深紫外LED器件封裝工藝，屬于微電子封裝領域。所述封裝工藝將可深紫外固化的封裝材料填充進入器件內部，包裹住深紫外LED芯片；然后經過深紫外線照射固化，形成封裝透鏡。相對傳統工藝的全氟材料封裝工藝而言，該工藝具有步驟簡單，性價比高，成本低廉，無毒環境友好等特點。封裝材料具有較高的深紫外線穿透率和匹配的折射率，具有優良的抗老化性能，500小時深紫外透過率仍在到90％左右，穩定性良好。而且該工藝能夠提升265nm深紫外線LED光功率至少30％。本發明的封裝工藝可以應用于多種深紫外LED的封裝。
本發明授權一種深紫外LED器件封裝工藝在權利要求書中公布了：1.一種深紫外LED器件封裝工藝，其特征在于，包括如下步驟： 1將液態封裝材料填充進入待封裝的深紫外LED器件內部，包裹住深紫外LED芯片；所述封裝材料由A、B、C任意一種或多種結構式的物質構成， 其中，n≥1，且n為整數， 2所述封裝材料經過深紫外線照射固化，形成封裝透鏡。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深港產學研基地(北京大學香港科技大學深圳研修院);深圳市優威芯電子科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區高新技術產業園南區科苑南路高新七道15號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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