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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海科技大學(xué)申請的專利一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116312691B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211671185.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/419；該發(fā)明授權(quán)一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元是由李怡霏;陳劍;哈亞軍;陳宏宇設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元在說明書摘要公布了：本發(fā)明的技術(shù)方案是提供了一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元，其特征在于，包括一組反相器環(huán)，兩個N型寫晶體管NM1、NM2，兩個P型寫晶體管PM1、PM2和兩個N型晶體管NM3、NM4組成的讀出路徑。本發(fā)明可以被應(yīng)用于超低電壓有存儲需求的應(yīng)用中，特別是一些對于低電壓下SRAM訪存速度及可靠性有一定需求的應(yīng)用，相比其他不同SRAM單元，在能耗相差不大的情況下，本發(fā)明可以實現(xiàn)更高的讀寫工作頻率。

本發(fā)明授權(quán)一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元在權(quán)利要求書中公布了：1.一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元，其特征在于，包括一組反相器環(huán)，兩個N型寫晶體管NM1、NM2，兩個P型寫晶體管PM1、PM2和兩個N型晶體管NM3、NM4組成的讀出路徑； 兩個N型寫晶體管NM1、NM2分別由寫字線WWLNB、WWLN控制，使兩個N型寫晶體管NM1、NM2中的一個與一個共享的PMOS標(biāo)尾構(gòu)成一個串聯(lián)的PMOS對； 兩個P型寫晶體管PM1、PM2分別由寫字線WWLPB、WWLP控制，使兩個P型寫晶體管PM1、PM2中的一個與一個共享的NMOS標(biāo)頭構(gòu)成一個串聯(lián)的NMOS對； NMOS標(biāo)尾及PMOS標(biāo)頭分別被行共享信號WLPC和WLNC所控制，接入V_GND及V_VDD； N型寫晶體管NM1以及P型寫晶體管PM1通過端點QB連接反相器環(huán)的一端，N型寫晶體管NM2以及P型寫晶體管PM2通過端點Q連接反相器環(huán)的另一端；端點Q和讀字線RWL共同決定讀出路徑所引出的讀端口RBL的數(shù)據(jù)； 在寫狀態(tài)下：數(shù)字1通過串聯(lián)的PMOS對被直接寫入端點Q，并通過串聯(lián)的NMOS對以及反相器環(huán)使得數(shù)字0被寫入端點QB；數(shù)字1通過串聯(lián)的PMOS對被直接寫入端點QB，并通過串聯(lián)的NMOS對以及反相器環(huán)使得數(shù)字0被寫入端點Q； 在讀狀態(tài)下，利用讀字線RWL將存儲于端點Q的數(shù)字經(jīng)由讀出路徑讀出至讀端口RBL。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海科技大學(xué)，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區(qū)華夏中路393號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。