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龍圖騰網獲悉東南大學;南京集成電路設計自動化技術創新中心申請的專利一種獲取鰭式場效應管寄生電容波動模型的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116384330B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310332561.0，技術領域涉及：G06F30/398；該發明授權一種獲取鰭式場效應管寄生電容波動模型的方法是由楊蘭蘭;劉怡呈;屠彥;何延杰;李怡寧;覃濤設計研發完成，并于2023-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種獲取鰭式場效應管寄生電容波動模型的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種獲取鰭式場效應管寄生電容波動模型的方法。通過TCAD仿真所獲得的鰭式場效應管電場分布，獲取寄生電容解析模型，之后利用統計阻抗場法獲取寄生電容受工藝波動影響的數據，仿真數據校準擬合后，生成考慮工藝波動的寄生電容波動模型。該方法能夠減少仿真工藝波動所需的大量計算，并且能夠以統計分布的形式較為準確地表現工藝波動對寄生電容的影響。通過鰭式場效應管寄生電容波動模型，可以在不需要大量計算的情況下預估寄生電容的波動情況，解決考慮工藝波動條件下的電路設計的閾值、故障率、成品率等問題。

本發明授權一種獲取鰭式場效應管寄生電容波動模型的方法在權利要求書中公布了：1.一種獲取鰭式場效應管寄生電容波動模型的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟： 步驟S01：根據鰭式場效應管FinFET仿真電場分布和BSIM-CMG緊湊模型，得到標準的FinFET寄生電容解析模型； 步驟S02：利用TCAD仿真工具，結合統計阻抗場法得到考慮工藝波動條件下的多組FinFET電磁仿真數據，作為樣本；其中，在仿真時考慮的工藝波動包括隨機摻雜波動、氧化層厚度波動、界面陷阱態波動和金屬功函數波動； 步驟S03：通過柵極電壓漏極偏置掃描法，從樣本仿真數據中提取出考慮工藝波動的寄生電容的樣本統計數據，對寄生電容的樣本數據進行處理：獲取樣本的顯著性差異、數學期望、均方差的統計參數，依此進行單樣本柯爾莫可洛夫-斯米洛夫K-S檢驗，判斷樣本所服從的分布類型； 步驟S04：將寄生電容的樣本統計數據和標準FinFET寄生電容解析模型結合，代入單樣本K-S檢驗所得的概率分布類型的概率密度公式，獲取考慮工藝波動下的寄生電容波動模型； 其中， 所述步驟S01具體為： 柵極與鰭間的寄生電容Cfg為： 柵極與源漏極相對面之間的電容Ccg1為： 柵極頂面與源漏頂面間的電容Ccg2為： 柵極側壁與源漏頂面之間的電容Ccg3為： 其中，HFin是Fin的高度，Hg是柵極高度，Hc是源漏極高度，Hmax是柵和鰭形成的橢圓形電場線長軸長度，R是柵極側壁和源漏頂面形成的四分之一圓形電場線的半徑；Lext是拓展區長度，Lc是源漏區長度，Lg是柵極長度，Tox是氧化層厚度，εsp是材料相對介電常數，Cfgsat、Cfglog分別是線性和飽和狀態下的Cfg參考值，Cfgsat、Cfglog、Hmax、R均由仿真結果得到；k1、k2是擬合參數； 所述步驟S04，根據寄生電容服從正態分布，則寄生電容波動模型為： Ef＝Cp+β1Ec-Cpβ1∈[0，1] 其中，fcf是寄生電容所服從的概率密度函數，Cf是寄生電容，Ec是樣本數據的均值，是樣本數據的方差，Ef是波動模型的均值，是波動模型的方差，Cp是寄生電容解析模型的精確值，β1、β2為擬合參數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東南大學;南京集成電路設計自動化技術創新中心，其通訊地址為：211102 江蘇省南京市江寧區東南大學路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。