重慶郵電大學嚴冬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉重慶郵電大學申請的專利一種基于SIW帶有圓極化和濾波響應的微帶貼片天線獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116435781B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310471453.1，技術領域涉及：H01Q9/04；該發明授權一種基于SIW帶有圓極化和濾波響應的微帶貼片天線是由嚴冬;袁康洪;黃鑫洲;胡坤志;胡上國設計研發完成，并于2023-04-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于SIW帶有圓極化和濾波響應的微帶貼片天線在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于SIW帶有圓極化和濾波響應的微帶貼片天線，屬于無線能量傳輸領域，包括設置在下層的SIW腔體結構，及設置在上層的微帶貼片結構；SIW腔體結構包括下層介質基板、底層金屬地板、中層金屬地板以及四組金屬化通孔；四組金屬化通孔貫穿下層介質基板、底層金屬地板及中層金屬地板，圍成一個方形SIW腔體；一對金屬化通孔設置在SIW腔體相對于饋電點所在中線的左上和右下角，作為擾動柱；兩對金屬化通孔兩兩設置在SIW腔體中心，作為匹配柱；SIW腔體中還設有一個饋電孔；在SIW腔體內的四邊分別設有一個矩形槽；微帶貼片結構包括上層介質基板和四個正交設置的方形微帶貼片。
本發明授權一種基于SIW帶有圓極化和濾波響應的微帶貼片天線在權利要求書中公布了：1.一種基于SIW帶有圓極化和濾波響應的微帶貼片天線，其特征在于：包括設置在下層的SIW腔體結構，及設置在上層的微帶貼片結構； 所述SIW腔體結構包括下層介質基板、底層金屬地板、中層金屬地板以及四組金屬化通孔，所述底層金屬地板設置在下層介質基板的下表面，所述中層金屬地板設置在下層介質基板的上表面；所述四組金屬化通孔貫穿下層介質基板、底層金屬地板及中層金屬地板，作為腔體柱，圍成一個方形SIW腔體；一對金屬化通孔設置在SIW腔體相對于饋電點所在中線的左上和右下角，作為擾動柱；兩對金屬化通孔兩兩設置在SIW腔體中心，作為匹配柱；SIW腔體中還設有一個饋電孔，所述饋電孔與其中一對匹配柱處于一條直線；在SIW腔體內的四邊分別設有一個矩形槽； 所述微帶貼片結構包括上層介質基板和四個方形微帶貼片，所述的四個方形微帶貼片正交設置在上層介質基板的上表面；所述上層介質基板的下表面與中層金屬地板貼合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶郵電大學，其通訊地址為：400065 重慶市南岸區黃桷埡崇文路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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