黑龍江大學高揚獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉黑龍江大學申請的專利基于鈦正方環結構陣列的寬帶太陽能吸收器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116399043B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310515250.8，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權基于鈦正方環結構陣列的寬帶太陽能吸收器是由高揚;李鑫;孫鵬飛;蘇麗晶;周亞新;聶思函設計研發完成，并于2023-05-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于鈦正方環結構陣列的寬帶太陽能吸收器在說明書摘要公布了：本發明基于鈦正方環結構陣列的太陽能吸收器屬于微納光電子技術領域；由多個可調控結構單元在XOY平面周期排列構成，太陽光以平面波形式入射，每個所述可調控結構單元由下到上依次為Ti材料的基底層、Si3N4材料的第一緩沖層、TiN材料的第二緩沖層和Ti材料的天線；所述基底層、第一緩沖層和第二緩沖層的形狀均為正方形，所述天線的形狀為正方環形，設置在緩沖層正中上方，所述正方環形的邊長與X軸和Y軸夾角45°；本發明結構簡單，在280nm?2100nm的寬帶范圍內的平均吸收率為95.9％，且不受光源的偏振情況影響，在0°～60°入射角范圍內都有較好的吸收效果。
本發明授權基于鈦正方環結構陣列的寬帶太陽能吸收器在權利要求書中公布了：1.基于鈦正方環結構陣列的寬帶太陽能吸收器，由多個可調控結構單元在XOY平面周期排列構成，太陽光以平面波形式入射，每個所述可調控結構單元由下到上依次為基底層1、第一緩沖層2、第二緩沖層3和Ti材料的天線4；所述基底層1、第一緩沖層2和第二緩沖層3的形狀均為正方形，所述天線4的形狀為正方環形，設置在緩沖層3正中上方； 定義所述基底層1、第一緩沖層2、第二緩沖層3和天線4的相對位置為：所述基底層1所在平面為XOY平面，即水平面，基底層1中心位置與坐標原點重合，基底層1的兩組對邊分別平行于X軸和Y軸，所述第一緩沖層2、第二緩沖層3與基底層1的形狀、大小和擺放方向相同，所述天線4的正方環形中心位置與坐標原點重合。 其特征在于，基底層1為Ti材料，第一緩沖層2為Si3N4材料，第二緩沖層3為TiN材料；所述正方環形的邊長與X軸和Y軸夾角45°；所述天線4的高度為D＝0.315μm，所述正方環形的外邊長為L1＝0.31μm，內邊長為L2＝0.25μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人黑龍江大學，其通訊地址為：150000 黑龍江省哈爾濱市南崗區學府路74號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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