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          上海電力大學韓文花獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉上海電力大學申請的專利一種基于離散化磁荷密度場計算的缺陷漏磁場檢測方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117709054B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311469579.1,技術領域涉及:G06F30/20;該發明授權一種基于離散化磁荷密度場計算的缺陷漏磁場檢測方法是由韓文花;茹黎爽設計研發完成,并于2023-11-07向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種基于離散化磁荷密度場計算的缺陷漏磁場檢測方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種基于離散化磁荷密度場計算的缺陷漏磁場檢測方法,包括以下步驟:對三維任意形狀缺陷進行剖分,得到N×N個矩形槽單元磁偶極帶;由各個磁偶極帶形成缺陷的磁荷密度場,計算各個磁偶極帶對應的磁荷密度值;消除表面泄漏對缺陷的磁荷密度場計算結果的影響,得到整個缺陷的磁荷密度場;結合單元磁偶極帶疊加模型,在采樣平面上各點處疊加N×N個磁偶極帶的漏磁場,得到整個缺陷的漏磁場。與現有技術相比,本發明針對復雜缺陷漏磁信號中磁荷密度計算的復雜性問題,通過對缺陷的磁荷密度場進行離散化處理,每一個單元磁偶極帶對應一個磁荷密度值,實現離散化磁荷密度場計算,不僅有效降低計算量,還能夠快速、準確地計算出復雜缺陷的漏磁信號。

          本發明授權一種基于離散化磁荷密度場計算的缺陷漏磁場檢測方法在權利要求書中公布了:1.一種基于離散化磁荷密度場計算的缺陷漏磁場檢測方法,其特征在于,包括以下步驟: S1、對三維任意形狀缺陷進行剖分,得到N×N個矩形槽單元磁偶極帶; S2、由各個磁偶極帶形成缺陷的磁荷密度場,計算各個磁偶極帶對應的磁荷密度值; S3、消除表面泄漏對缺陷的磁荷密度場計算結果的影響,得到整個缺陷的磁荷密度場; S4、結合單元磁偶極帶疊加模型,在采樣平面上各點處疊加N×N個磁偶極帶的漏磁場,得到整個缺陷的漏磁場; 步驟S1中每個磁偶極帶由其中心點代表,步驟S1的具體過程為: 將三維任意形狀缺陷剖分成N×N個矩形槽單元磁偶極帶,每個磁偶極帶對應一個深度值,由此復雜缺陷的輪廓構成一個N×N的深度矩陣D: 各單元磁偶極帶使用其中心點代替,同時,采樣平面也相應劃分為N×N個單元網格; 步驟S2具體是使用中心點坐標計算各個磁偶極帶對應的磁荷密度值,步驟S2包括以下步驟: S21、將深度矩陣D由N×N的矩陣轉化為1×N2的向量d; S22、設定磁化強度沿軸向方向,確定出單位向量的軸向分量Ix; S23、結合單位向量的軸向分量Ix,以及設定的施加給磁偶極帶的磁化強度值,計算得到磁偶極帶對應的磁荷密度值; 步驟S23中磁偶極帶對應的磁荷密度計算公式為: δ'=IxMx 其中,x'm,y'm,z'm為第m個采樣點坐標,dk為第k個磁偶極帶的深度,m和k的取值區間為1~N2,M為施加的磁化強度; 步驟S4的具體過程為: 求取每個磁偶極帶到各采樣點的漏磁場,在采樣平面上各點處疊加N×N個磁偶極帶的漏磁場,即得到整個缺陷的漏磁場, 步驟S4中單元磁偶極帶疊加模型為: 永磁體沿軸向方向對鐵磁性試件進行磁化,漏磁場采樣平面提離值為h,則采樣平面上任意點P處的磁通密度徑向分量BzP為: 其中,δij為磁偶極帶Sij的磁荷密度,Vij為磁偶極帶Sij的體積,μ0為磁導率,z'和zij分別為P和Sij的徑向坐標,|P-Cij|為磁偶極帶Sij的中心點Cij到采樣點P的歐式距離。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人上海電力大學,其通訊地址為:201306 上海市浦東新區滬城環路1851號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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