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龍圖騰網獲悉南京郵電大學;南京郵電大學南通研究院有限公司申請的專利集成高K介質三溝槽型碳化硅縱向功率器件及制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117766566B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202410054910.1，技術領域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權集成高K介質三溝槽型碳化硅縱向功率器件及制備方法是由姚佳飛;劉宇遨;張鑫鵬;林琰琰;郭宇鋒;楊可萌;李曼;張珺;陳靜;張茂林設計研發(fā)完成，并于2024-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本集成高K介質三溝槽型碳化硅縱向功率器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了集成高K介質三溝槽型碳化硅縱向功率器件及制備方法，包括半導體漏區(qū)、半導體漂移區(qū)、以及由高K介質深槽區(qū)、柵極溝槽區(qū)和源極溝槽區(qū)形成的三溝槽結構；柵極溝槽區(qū)位于高K介質深槽區(qū)內部；源極溝槽區(qū)包含P型屏蔽區(qū)和P型重摻雜塊；高K介質深槽區(qū)和源極溝槽區(qū)之間區(qū)域從上至下包含半導體源區(qū)、P型阱區(qū)和電流擴散層。本發(fā)明在開態(tài)時，高K介質深槽區(qū)能提高柵極氧化物電容，降低閾值電壓，并且能提高漂移區(qū)摻雜濃度，從而使比導通電阻降低；電流擴散層減輕漂移區(qū)JFET效應；在關態(tài)時，高K介質深槽區(qū)調制漂移區(qū)電場，提高擊穿電壓；源極溝槽區(qū)平衡漂移區(qū)頂部電場分布，使柵極溝槽拐角處不易擊穿，提高柵氧穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權集成高K介質三溝槽型碳化硅縱向功率器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種集成高K介質三溝槽型碳化硅縱向功率器件，其特征在于：包括半導體漏區(qū)、半導體漂移區(qū)和三溝槽結構； 半導體漂移區(qū)疊設在半導體漏區(qū)頂部，半導體漏區(qū)底部沉積有漏端金屬電極； 三溝槽結構包括高K介質深槽區(qū)、柵極溝槽區(qū)和源極溝槽區(qū)； 高K介質深槽區(qū)同軸開設在半導體漂移區(qū)的中心，且頂部從半導體漂移區(qū)頂面伸出；高K介質深槽區(qū)內填充有高K柵介質； 高K介質深槽區(qū)在半導體漂移區(qū)的開設深度大于半導體漂移區(qū)厚度的二分之一，但小于半導體漂移區(qū)厚度； 柵極溝槽區(qū)同軸開設在高K介質深槽區(qū)的頂部中心，且內部沉積有柵端金屬電極； 源極溝槽區(qū)開設在半導體漂移區(qū)的頂部兩側，且頂部均從半導體漂移區(qū)頂面伸出，且與高K介質深槽區(qū)等高； 半導體源區(qū)、P型阱區(qū)和電流擴散層的總深度淺于柵極溝槽區(qū)和源極溝槽區(qū)； 源極溝槽區(qū)包含P型屏蔽區(qū)和P型重摻雜塊；P型屏蔽區(qū)呈L型，外側沉積有源端金屬電極；P型重摻雜塊布設在源端金屬電極下方的P型屏蔽區(qū)的外緣處； 高K介質深槽區(qū)和源極溝槽區(qū)之間的半導體漂移區(qū)頂面上，從從下至上依次布設有電流擴散層、P型阱區(qū)和半導體源區(qū)； 源極溝槽區(qū)、柵極溝槽區(qū)和高K介質深槽區(qū)組合而成的三溝槽結構對器件漂移區(qū)和溝道同時進行調制，能夠降低器件比導通電阻和閾值電壓，使器件在最高FOM值下擊穿電壓提高至2611V，半導體漂移區(qū)的摻雜濃度不低于5×1015cm-3，比導通電阻達到1.36mΩ。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京郵電大學;南京郵電大學南通研究院有限公司，其通訊地址為：226000 江蘇省南通市崇川區(qū)新康路33號9、10幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。