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龍圖騰網獲悉天合光能股份有限公司申請的專利背接觸太陽能電池、制備方法及電池組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118248749B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410274595.3，技術領域涉及：H10F77/30；該發明授權背接觸太陽能電池、制備方法及電池組件是由胡勻勻;楊廣濤;陳奕峰設計研發完成，并于2024-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本背接觸太陽能電池、制備方法及電池組件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種背接觸太陽能電池、制備方法及電池組件，屬于晶體硅太陽能電池技術領域。背接觸太陽能電池包括：半導體襯底，背光面包括沿第一方向交替排布的第一極性區和第二極性區；第一功能層，設置于第一極性區；第二功能層，設置于第二極性區；激光防護層，設置于第二功能層遠離半導體襯底一側，且暴露出第二功能層的電極接觸區，激光防護層的材料包括激光吸收材料；第一電極結構，設置于第一功能層遠離半導體襯底一側；第二電極結構，設置于第二功能層遠離半導體襯底一側，且位于電極接觸區。通過在功能層的外側設有激光防護層，可以在激光開膜工藝中，保護第二功能層，避免異質結發生熱衰減，提高電池的開路電壓和光電轉換效率。

本發明授權背接觸太陽能電池、制備方法及電池組件在權利要求書中公布了：1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括： 半導體襯底，具有相對的受光面和背光面，所述背光面包括沿第一方向交替排布的第一極性區和第二極性區； 第一功能層，設置于所述第一極性區，所述第一功能層包括沿遠離所述半導體襯底方向層疊的第一鈍化層和第一摻雜半導體層； 第二功能層，設置于所述第二極性區，所述第二功能層包括沿遠離所述半導體襯底方向層疊的第二鈍化層和第二摻雜半導體層，所述第一摻雜半導體層的摻雜類型和所述第二摻雜半導體層的摻雜類型相反； 激光防護層，設置于所述第二功能層遠離所述半導體襯底一側，且暴露出所述第二功能層的電極接觸區，并與所述第二功能層刻蝕形成穿口暴露出所述第一功能層的電極接觸區，所述激光防護層包括激光吸收層，所述激光吸收層的材料包括激光吸收材料；其中，所述激光吸收層對應電極接觸區的部分通過激光燒蝕去除； 第一電極結構，設置于所述第一功能層遠離所述半導體襯底一側，且位于所述第一功能層的電極接觸區； 第二電極結構，設置于所述第二功能層遠離所述半導體襯底一側，且位于所述第二功能層的所述電極接觸區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天合光能股份有限公司，其通訊地址為：213031 江蘇省常州市新北區天合光伏產業園天合路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。