西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司王雷獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申請的專利一種缺陷檢測的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN118610115B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411083582.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/66;該發(fā)明授權(quán)一種缺陷檢測的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)是由王雷;盧龍龍;楊震;王琳設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-08-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種缺陷檢測的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)在說明書摘要公布了:本公開提供了一種缺陷檢測的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法可以包括:基于透射式光學(xué)檢測方式檢測出晶圓表面的缺陷;在檢出的所有缺陷中,按照非針孔缺陷的缺陷特征數(shù)據(jù)生成屏蔽掩膜;將所述屏蔽掩膜覆蓋的缺陷從所述檢出的所有缺陷中去除后,獲得待復(fù)查的缺陷;對所述待復(fù)查的缺陷進(jìn)行復(fù)查,確定所述待復(fù)查的缺陷中是否存在針孔缺陷。通過本公開的技術(shù)方案縮短了透射式光學(xué)檢測的時(shí)長,減少透射式光學(xué)檢測方式檢測針孔(pinhole)缺陷的產(chǎn)能浪費(fèi),提高設(shè)備稼動(dòng)率。
本發(fā)明授權(quán)一種缺陷檢測的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種缺陷檢測的方法,其特征在于,所述方法包括: 基于透射式光學(xué)檢測方式檢測出晶圓表面的缺陷; 在檢出的所有缺陷中,按照劃痕缺陷的缺陷形貌特征數(shù)據(jù)生成屏蔽掩膜; 將所述屏蔽掩膜覆蓋的缺陷從所述檢出的所有缺陷的坐標(biāo)中去除后,獲得待復(fù)查的缺陷; 對所述待復(fù)查的缺陷進(jìn)行復(fù)查,確定所述待復(fù)查的缺陷中是否存在針孔缺陷; 其中,所述按照劃痕缺陷的缺陷形貌特征數(shù)據(jù)生成屏蔽掩膜,包括: 基于所述劃痕缺陷對應(yīng)的卡控策略,根據(jù)檢出的所有缺陷的坐標(biāo)以及描述信息獲取劃痕缺陷的缺陷特征,并根據(jù)缺陷特征設(shè)置所述劃痕缺陷對應(yīng)的屏蔽掩膜;其中,所述劃痕缺陷對應(yīng)的卡控策略包括:根據(jù)所有缺陷的坐標(biāo)所確定的連續(xù)出現(xiàn)的缺陷數(shù)量大于數(shù)量閾值,且根據(jù)所述缺陷的坐標(biāo)所確定的相鄰缺陷之間的間距小于距離閾值,且根據(jù)所有缺陷的尺寸以及所述連續(xù)出現(xiàn)的缺陷數(shù)量所確定的所述連續(xù)出現(xiàn)的缺陷所占據(jù)的區(qū)域長寬比大于長寬比閾值;所述劃痕缺陷的屏蔽掩膜是基于所述連續(xù)出現(xiàn)的缺陷的坐標(biāo)形成的。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司,其通訊地址為:710065 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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