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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國(guó)際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體器件及形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111863821B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910335438.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/00；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及形成方法是由韓亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-04-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體器件及形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件及形成方法。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在形成浮柵的過(guò)程中和形成浮柵后，增加形成氧化層的工藝步驟，并在后通過(guò)去除氧化層使得浮柵下方的柱狀有源區(qū)的頂部的邊緣形成為較為平滑的形狀，由此，使得所述邊緣相對(duì)于后續(xù)形成的控制柵導(dǎo)電結(jié)構(gòu)深入到柱狀浮柵之間的尖端區(qū)域的面的面積較大，減小上述兩者之間的電場(chǎng)，避免在漏電流通過(guò)時(shí)，半導(dǎo)體器件被擊穿。由此，可以提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括依次疊置的有源區(qū)基底、停止層、浮柵材料層及硬掩膜層； 刻蝕預(yù)定區(qū)域的所述硬掩膜層和所述浮柵材料層至露出所述停止層，以形成分立的浮柵； 沉積覆蓋所述浮柵和所述停止層的第一氧化層； 刻蝕所述浮柵之間的第一氧化層、停止層和有源區(qū)基底，以形成凹槽； 去除所述第一氧化層； 氧化所述浮柵的表面，以形成第二氧化層； 去除所述第二氧化層，以使得所述浮柵下方的有源區(qū)基底的頂部邊緣平滑； 在去除所述第二氧化層后，去除所述硬掩膜層； 形成覆蓋所述凹槽表面和所述浮柵表面的隔離層，所述隔離層的上表面高于所述浮柵的上表面； 回刻蝕所述隔離層，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯國(guó)際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：300000 天津市西青區(qū)西青經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)興華道19號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。