買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉寧波大學(xué)申請(qǐng)的專利一種過渡金屬硫化物摻雜的單元素相變存儲(chǔ)材料及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120344142B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510789084.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種過渡金屬硫化物摻雜的單元素相變存儲(chǔ)材料及其制備方法是由宋鐘旺;陳夢(mèng)麗;王國祥;谷瑋峰;倪胤萱;陳穎琦設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-13向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種過渡金屬硫化物摻雜的單元素相變存儲(chǔ)材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種過渡金屬硫化物摻雜的單元素相變存儲(chǔ)材料及其制備方法，特點(diǎn)是該材料為MoS2摻雜Sb薄膜材料，薄膜材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為SbxMoS2100?x，其中65at.%≤x≤85at.%，由Sb單質(zhì)靶和硫系化合物MoS2靶在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中通過雙靶濺射獲得，優(yōu)點(diǎn)是該相變存儲(chǔ)材料與GST相變材料相比，結(jié)晶溫度較高、熔化溫度較低，結(jié)晶活化能和十年數(shù)據(jù)保持溫度更高、電阻漂移大幅度降低，且成功通過硫系化合物摻雜改善了單元素相變Sb的性能，支持相變存儲(chǔ)器件長周期、高循環(huán)次數(shù)下的存儲(chǔ)穩(wěn)定和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種過渡金屬硫化物摻雜的單元素相變存儲(chǔ)材料及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種過渡金屬硫化物摻雜的單元素相變存儲(chǔ)材料，其特征在于：該材料為MoS2摻雜Sb薄膜材料，所述的薄膜材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為SbxMoS2100-x，其中65at.%≤x≤85at.%，所述的MoS2摻雜Sb薄膜材料由Sb單質(zhì)靶和硫系化合物MoS2靶在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中通過雙靶濺射獲得。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人寧波大學(xué)，其通訊地址為：315211 浙江省寧波市江北區(qū)風(fēng)華路818號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。