杭州富芯半導體有限公司田斌偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120565490B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511063396.9，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法是由田斌偉設計研發完成，并于2025-07-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法；制備方法可以包括：提供半導體結構，半導體結構包括基底、層疊于基底表面的柵極材料層和層疊于柵極材料層的掩膜層，基底中形成有半導體器件的功能元件；于半導體結構中形成深溝槽，深溝槽貫穿掩膜層、柵極材料層并深入基底；對深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離結構，深溝槽隔離結構包括填充結構，填充結構不高于基底表面，填充結構的材料為可導電的非金屬材料；圖案化刻蝕柵極材料層，形成柵極結構；去除掩膜層。本申請能夠將深溝槽隔離結構的制備工序整合至BCD等器件的柵極結構制備的標準工藝中，簡化深溝槽隔離的集成工藝并降低制備成本。
本發明授權集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種集成深溝槽隔離結構的器件制備方法，其特征在于，包括： 提供半導體結構，所述半導體結構包括基底、層疊于基底表面的柵極材料層和層疊于所述柵極材料層的掩膜層，所述基底中形成有半導體器件的功能元件； 于所述半導體結構中形成深溝槽，所述深溝槽貫穿所述掩膜層、所述柵極材料層并深入所述基底； 對所述深溝槽進行填充，形成深溝槽隔離結構，所述深溝槽隔離結構包括填充結構，所述填充結構不高于所述基底表面，所述填充結構的材料為可導電的非金屬材料； 圖案化刻蝕所述柵極材料層，形成柵極結構； 去除所述掩膜層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：311418 浙江省杭州市富陽區靈橋鎮濱富大道135號(濱富合作區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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