美商新思科技有限公司T·C·塞西爾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美商新思科技有限公司申請的專利對用于電子電路的曲線掩模的掩模規則檢查獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114008620B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080041678.8,技術領域涉及:G06F30/398;該發明授權對用于電子電路的曲線掩模的掩模規則檢查是由T·C·塞西爾設計研發完成,并于2020-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本對用于電子電路的曲線掩模的掩模規則檢查在說明書摘要公布了:一種系統,用于對曲線形狀執行掩模規則檢查MRC。曲線形狀的寬度沿著形狀的不同部分不同。曲線形狀的中軸線被確定。中軸線被修整以排除距拐角閾值距離內或距邊緣太遠的部分。經修整中軸線用于執行掩模規則的寬度檢查。系統生成幾何形狀之間的中軸線,并且使用中軸線來確定兩個幾何形狀是否至少相隔閾值距離。系統對尖拐角執行銳角檢查。系統使用從頂點到形狀的邊界上的端點繪制的線來確定角度,這些端點在閾值距離處。這些角度用于檢查銳角掩模規則違反。
本發明授權對用于電子電路的曲線掩模的掩模規則檢查在權利要求書中公布了:1.一種用于對設計電子電路的掩模表示執行掩模規則檢查的方法,所述方法包括: 接收所述電子電路的所述掩模表示,所述掩模表示包括多個幾何形狀;以及 對于所述掩模表示的所述多個幾何形狀中的幾何形狀: 確定所述幾何形狀的中軸線; 標識所述中軸線的、距所述幾何形狀的拐角在閾值距離內的部分; 通過排除距所述幾何形狀的所述拐角在所述閾值距離內的所述中軸線的部分,來修整所述中軸線;以及 基于所述幾何形狀的對應于所述幾何形狀的經修整中軸線的部分,由處理設備執行所述掩模規則檢查,其中所述掩模規則檢查標識由所述掩模表示對掩模規則的違反。
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