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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第十四研究所申請的專利一種開關的快速充放電電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111654270B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010572486.1，技術領域涉及：H03K17/16；該發明授權一種開關的快速充放電電路是由周陽陽;竺磊;張浩設計研發完成，并于2020-06-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種開關的快速充放電電路在說明書摘要公布了：本發明涉及一種開關的快速充放電電路，包括快速充放電模塊、接收端開關和發射端開關，發射端開關連接發射端，接收端開關連接接收端，發射端開關和接收端開關共同輸出至天線端，發射端開關的控制信號包括互為反向的信號cr_p與信號cr_n，接收端開關的控制信號包括信號cr_n和vg1，信號vg1與快速充放電模塊相連。本發明的技術通過開關管控制端電壓的反饋，實現在確保器件安全的條件下，對快速充放電通路進行高壓控制，使得其隨著控制電壓上升，仍然能夠保持原有的充電速度。

本發明授權一種開關的快速充放電電路在權利要求書中公布了：1.一種開關的快速充放電電路，其特征在于：包括快速充放電模塊、接收端開關和發射端開關，發射端開關連接發射端，接收端開關連接接收端，發射端開關和接收端開關共同輸出至天線端，發射端開關的控制信號包括互為反向的信號cr_p與信號cr_n，接收端開關的控制信號包括信號cr_n和vg1，信號vg1與快速充放電模塊相連；快速充放電模塊包括快速充電控制模塊、第一堆疊MOS管和并聯電阻； 第一堆疊MOS管包括若干個串聯的MOS管，接收端開關的控制信號vg1分別進入第一堆疊MOS管的源端和快速充電控制模塊，第一堆疊MOS管的漏端和源端之間設有并聯電阻，快速充電控制模塊的輸出電壓信號ctr進入第一堆疊MOS管的柵極，cr_p信號還輸入到第一堆疊MOS管的漏端； 所述接收端開關包括第二堆疊MOS管和第三堆疊MOS管， 第二堆疊MOS管包括若干個串聯的MOS管，第二堆疊MOS管的漏極與發射端開關相連，第三堆疊MOS管的漏極連接到第二堆疊MOS管的源極，第二堆疊MOS管中MOS管的柵極由電阻串聯至信號vg1； 第三堆疊MOS管包括若干組互相并聯的MOS管組，每組MOS管組中均包括兩個串聯的MOS管，每組MOS管組的漏極連接第二堆疊MOS管，源極接地，第三堆疊MOS管的柵極通過電阻串聯至控制信號cr_n； 所述發射端開關包括第四堆疊MOS管和第五堆疊MOS管； 第四堆疊MOS管包括若干個互相串聯的MOS管，第五堆疊MOS管的漏端連接到第四堆疊MOS管的源端，第四堆疊MOS管中的MOS管的柵極由電阻串聯至控制信號cr_n； 第五堆疊MOS管包括若干組互相并聯的MOS管組，每組MOS管組包括若干個串聯的MOS管，第五堆疊MOS管中MOS管的柵極通過電阻串聯至控制信號cr_p； 控制信號cr_p通過延時鏈路產生延時控制信號cr_d_p以及延時反向控制信號cr_d_n，信號cr_d_p和信號cr_d_n均與第五堆疊MOS管相連； 所述快速充電控制模塊包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、反相器I1和電容C， 快速充電控制模塊的電源電壓VCC依次連接電阻R1、電阻R2、電阻R3之后接地，電阻R1和電阻R2之間輸出電壓信號ctr，電壓信號ctr連接到第一堆疊MOS管，MOS管M1漏端接電壓信號ctr，源端接控制信號cr_p，柵極接信號cr_d_n； 信號vg1通過電阻R4以及反相器I1連接至MOS管M3的柵極； MOS管M2和MOS管M3分別與電阻R3并聯； MOS管M2的柵極接信號cr_d_p； 控制信號經過延時鏈路生成，延時鏈路包括7個級聯的反相器，其中，在第一個和第二個反相器之間、第二個和第三個反相器之間、第五個和第六個反相器之間分別設有RC電容電阻RC延遲電路，延時鏈路的輸入為控制信號cr_p，經過四個反相器之后產生延時控制信號cr_d_p，再經過三個反相器之后產生延時反向控制信號cr_d_n。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第十四研究所，其通訊地址為：210039 江蘇省南京市雨花臺區國睿路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。