中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所司志偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利助熔劑法生長均勻的氮化物單晶的系統及方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114197049B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010986305.X,技術領域涉及:C30B29/40;該發明授權助熔劑法生長均勻的氮化物單晶的系統及方法是由司志偉;劉宗亮;徐科設計研發完成,并于2020-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本助熔劑法生長均勻的氮化物單晶的系統及方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種助熔劑法生長均勻的氮化物單晶的系統及方法。所述系統包括:單晶生長單元、原料循環單元、攪拌單元和氮氣供給單元;所述單晶生長單元包括可供反應生長氮化物單晶的反應腔室,所述原料循環單元包括用以容置生長氮化物單晶所需原料的循環腔室,所述反應腔室與所述循環腔室相互連通,且所述原料能夠在所述反應腔室與循環腔室之間循環流動;所述攪拌單元至少用以對所述循環腔室和或反應腔室內的原料進行攪拌;所述氮氣供給單元至少用以向所述循環腔室和或反應腔室內提供氮氣。本發明利用原料循環單元以及攪拌單元對反應腔室和循環腔室內的原料進行循環和攪拌,使生長形成的氮化物單晶均勻性更好、質量更高。
本發明授權助熔劑法生長均勻的氮化物單晶的系統及方法在權利要求書中公布了:1.一種助熔劑法生長均勻的氮化物單晶的系統,其特征在于包括:單晶生長單元、原料循環單元、攪拌單元和氮氣供給單元; 所述單晶生長單元包括可供反應生長氮化物單晶的反應腔室,所述原料循環單元包括用以容置生長氮化物單晶所需原料的循環腔室,所述反應腔室與所述循環腔室相互連通,且所述原料能夠在所述反應腔室與循環腔室之間循環流動; 所述攪拌單元至少用以對所述循環腔室和或反應腔室內的原料進行攪拌;所述氮氣供給單元至少用以向所述循環腔室和或反應腔室內提供氮氣;所述攪拌單元和氮氣供給單元能夠使氮離子于所述原料內均勻分布,并使所述原料中的金屬鎵和氮離子的摩爾比值維持在指定范圍內; 所述原料循環單元還包括至少一第一輸料管路和至少一第二輸料管路,所述反應腔室分別經所述第一輸料管路、第二輸料管路與循環腔室連通; 其中,所述第一輸料管路兩端的管口分別設置在所述反應腔室的底部、循環腔室的底部,且所述第一輸料管路還與一泵連接配合,以將反應腔室底部的原料輸送至循環腔室的底部; 所述第二輸料管路的物料入口設置在所述循序腔室的中上部,物料出口設置在所述反應腔室的中下部,所述循環腔室中的原料能夠沿所述第二輸料管路自流入至所述反應腔室內; 所述攪拌單元包括第一攪拌單元,所述第一攪拌單元包括第一驅動機構和攪拌槳,所述攪拌槳設置在所述循環腔室內,且所述攪拌槳與所述第一驅動機構傳動連接并能夠在所述第一驅動機構的驅使下以自身軸線為軸旋轉;所述攪拌槳上還設置有多個孔洞,在以所述攪拌槳對原料進行攪拌時,所述原料能夠于所述孔洞中流動;所述第一輸料管路還與攪拌槳固定連接,并能夠隨所述攪拌槳一起轉動。
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