中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司黃河獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司申請的專利薄膜體聲波諧振器、其制造方法及濾波器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114257194B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010995766.3，技術領域涉及：H03H3/02；該發明授權薄膜體聲波諧振器、其制造方法及濾波器是由黃河設計研發完成，并于2020-09-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本薄膜體聲波諧振器、其制造方法及濾波器在說明書摘要公布了：本發明涉及一種薄膜體聲波諧振器、其制造方法及濾波器，其中，薄膜體聲波諧振器包括：壓電疊層結構，壓電疊層結構包括依次從下至上疊置的第一電極、壓電層和第二電極，第一電極、第二電極至少其中之一具有貫穿相應電極的環形溝槽；在設有環形溝槽的相應電極上設置電極引出結構，電極引出結構遮蓋至少部分環形溝槽并延伸至無效諧振區，電極引出結構包括向遠離壓電層方向凸起的環形拱形橋，拱形橋的內表面圍成環形空隙，環形空隙與環形溝槽相對。本發明通過電極引出結構的環形空隙所在區域界定有效區的邊界，并通過環形溝槽使有效區邊界處相應電極的端部與空隙的氣體接觸，從而達到消除有效區的電極的邊界雜波的效果，進而提升諧振器的Q值。
本發明授權薄膜體聲波諧振器、其制造方法及濾波器在權利要求書中公布了：1.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括： 壓電疊層結構，所述壓電疊層結構包括依次從下至上疊置的第一電極、壓電層和第二電極，所述第一電極、所述第二電極至少其中之一具有貫穿相應電極的環形溝槽； 在設有所述環形溝槽的相應電極上設置電極引出結構，所述電極引出結構遮蓋至少部分所述環形溝槽并延伸至無效諧振區，所述電極引出結構包括向遠離所述壓電層方向凸起的環形拱形橋，所述拱形橋的內表面圍成環形空隙，所述環形空隙與所述環形溝槽相對。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區蔡倫路85弄95號1幢3樓C區309；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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