美商新思科技有限公司A·A·波那瓦拉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美商新思科技有限公司申請的專利逆光刻和用于掩模合成的機器學習的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115087924B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080096379.4，技術領域涉及：G03F1/36；該發明授權逆光刻和用于掩模合成的機器學習的方法是由A·A·波那瓦拉;J·J·舒;T·C·塞西爾設計研發完成，并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本逆光刻和用于掩模合成的機器學習的方法在說明書摘要公布了：公開了與合成用于在制造半導體器件時使用的掩模相關的技術。通過使用逆光刻技術ILT合成與用于半導體器件的設計圖案相關的一個或多個多邊形來生成用于機器學習ML模型的多個訓練掩模106。使用通過使用ILT所生成的多個訓練掩模和用于半導體器件的設計圖案兩者作為輸入來訓練ML模型108。經訓練的ML模型被配置為基于設計圖案來合成用于在制造半導體器件時使用的一個或多個掩模110。
本發明授權逆光刻和用于掩模合成的機器學習的方法在權利要求書中公布了：1.一種方法，包括： 通過使用逆光刻技術ILT合成一個或多個多邊形，來生成用于機器學習ML模型的多個訓練掩模，所述一個或多個多邊形與用于半導體器件的設計圖案相關；以及 使用通過使用ILT所生成的所述多個訓練掩模和用于所述半導體器件的所述設計圖案兩者作為輸入來訓練所述ML模型，其中經訓練的所述ML模型被配置為基于所述設計圖案來合成用于在制造所述半導體器件時使用的一個或多個掩模，其中在訓練所述ML模型之前，對所述多個訓練掩模中的一個或多個訓練掩模進行預處理以提高所述一個或多個訓練掩模的對稱性。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美商新思科技有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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