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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請的專利復(fù)合襯底、光電器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116457953B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080107314.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/82；該發(fā)明授權(quán)復(fù)合襯底、光電器件及其制備方法是由張麗旸;程凱設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本復(fù)合襯底、光電器件及其制備方法在說明書摘要公布了：一種復(fù)合襯底10、光電器件及其制備方法。該復(fù)合襯底10包括基板11和位于基板11上的納米金剛石結(jié)構(gòu)12；納米金剛石結(jié)構(gòu)12包括多個間隔設(shè)置的納米金剛石凸起121，相鄰的兩個納米金剛石凸起121之間設(shè)有間隙122。該光電器件包括該復(fù)合襯底10，還包括層疊設(shè)置于復(fù)合襯底上的第一半導(dǎo)體層30、有源層40、第二半導(dǎo)體層50；第一半導(dǎo)體層30包括沿豎直方向依次層疊凸起部31和平坦部32，凸起部31于間隙122中，且與間隙122一一對應(yīng)，平坦部32位于凸起部31以及納米金剛石結(jié)構(gòu)12上。該光電器件的其制備方法用于制作該光電器件。本申請通過在復(fù)合襯底10中設(shè)置一層納米金剛石結(jié)構(gòu)12，可以有效避免吸收有源層40發(fā)出的UV光線，達到大幅度提升UVLED的光提取效率的有益效果。

本發(fā)明授權(quán)復(fù)合襯底、光電器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光電器件，其特征在于，所述光電器件包括： 復(fù)合襯底，包括基板和位于所述基板上的納米金剛石結(jié)構(gòu)； 其中，所述納米金剛石結(jié)構(gòu)包括多個沿水平方向間隔設(shè)置的納米金剛石凸起，相鄰的兩個所述納米金剛石凸起之間設(shè)有間隙； 其中，所述納米金剛石結(jié)構(gòu)的材料為硼摻雜的金剛石材料； 其中，所述納米金剛石結(jié)構(gòu)用于避免吸收所述光電器件中的有源層發(fā)出的UV光線； 層疊設(shè)置于所述復(fù)合襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層、第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型相反，所述第一半導(dǎo)體層與所述納米金剛石結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電類型相同；所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的材料為氮化鎵基材料、或者氮化硼、或者氧化銦錫； 所述第一半導(dǎo)體層包括沿豎直方向依次層疊凸起部和平坦部，所述凸起部于所述間隙中，且所述凸起部與所述間隙一一對應(yīng)，所述平坦部位于所述凸起部以及所述納米金剛石結(jié)構(gòu)上，且所述平坦部遠離所述納米金剛石結(jié)構(gòu)的一面為一平面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。