中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司楊廣立獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利靜電放電保護結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115249701B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110449934.3，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權靜電放電保護結構及其形成方法是由楊廣立;施雪捷;陳芳;張茂添設計研發完成，并于2021-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本靜電放電保護結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種靜電放電保護結構及其形成方法，其結構包括襯底，襯底上具有第一隔離結構組，第一隔離結構組包括若干第一隔離結構；位于襯底上的第一阱區、第二阱區，第一阱區和第二阱區相連接，第一阱區內具有第一摻雜離子，第二阱區內具有第二摻雜離子，第一摻雜離子與第二摻雜離子的導電類型不同，第一隔離結構位于第一阱區和第二阱區的連接處，第一隔離結構同時位于第一阱區和第二阱區內；鰭部電連接區，位于第一阱區和第二阱區的連接處，第一隔離結構位于鰭部電連接區之間，鰭部電連接區內具有第三摻雜離子，第三摻雜離子與第二離摻雜離子的導電類型相同；重摻雜區，位于鰭部電連接區底部，觸發SCR結構的觸發電壓得到減少，從而起到保護電路的作用。
本發明授權靜電放電保護結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種靜電放電保護結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底上具有第一隔離結構組，所述第一隔離結構組包括若干第一隔離結構； 位于所述襯底上的第一阱區、第二阱區，所述第一阱區和所述第二阱區相連接，所述第一阱區內具有第一摻雜離子，所述第二阱區內具有第二摻雜離子，所述第一摻雜離子與所述第二摻雜離子的導電類型不同，所述第一隔離結構位于所述第一阱區和所述第二阱區的連接處，所述第一隔離結構同時位于所述第一阱區和所述第二阱區內； 鰭部電連接區，位于所述第一阱區和所述第二阱區的連接處，所述第一隔離結構位于所述鰭部電連接區之間，所述鰭部電連接區內具有第三摻雜離子，所述第三摻雜離子與所述第二摻雜離子的導電類型相同； 重摻雜區，位于所述鰭部電連接區底部，所述重摻雜區內具有第四摻雜離子，所述第四摻雜離子與所述第三摻雜離子的導電類型不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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