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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利豎直晶體管陣列和用于形成豎直晶體管陣列的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113964133B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110480799.9，技術領域涉及：H10B51/00；該發明授權豎直晶體管陣列和用于形成豎直晶體管陣列的方法是由李宜芳;J·古哈;L·P·海內克;K·M·考爾道;李時雨;T·B·麥克丹尼爾;S·E·西里斯;K·J·特雷克;S-W·楊設計研發完成，并于2021-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本豎直晶體管陣列和用于形成豎直晶體管陣列的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及豎直晶體管陣列和用于形成豎直晶體管陣列的方法。豎直晶體管陣列包括個別豎直晶體管的間隔開的柱，其個別地包括上部源極漏極區、下部源極漏極區和豎直地位于它們之間的溝道區。上部源極漏極區包括柱中的個別柱中的導體氧化物材料。溝道區包括個別柱中的氧化物半導體材料。下部源極漏極區包括個別柱中的位于個別柱中的第二導電氧化物材料頂上且直接抵靠第二導電氧化物材料的第一導電氧化物材料。水平延長且間隔開的導體線在列方向上個別地互連相應多個豎直晶體管。導體線個別地包括位于金屬材料頂上且直接抵靠金屬材料的第二導電氧化物材料。第一導電氧化物材料、第二導電氧化物材料和金屬材料相對彼此包括不同組分。

本發明授權豎直晶體管陣列和用于形成豎直晶體管陣列的方法在權利要求書中公布了：1.一種豎直晶體管陣列，其包括： 個別豎直晶體管的間隔開的柱；所述間隔開的柱個別地包括上部源極漏極區、下部源極漏極區以及豎直地位于所述上部源極漏極區與所述下部源極漏極區之間的溝道區；所述上部源極漏極區包括所述柱中的個別柱中的導體氧化物材料，所述溝道區包括所述個別柱中的氧化物半導體材料，所述下部源極漏極區包括所述個別柱中的位于所述個別柱中的第二導電氧化物材料頂上且直接抵靠所述第二導電氧化物材料的第一導電氧化物材料； 水平延長且間隔開的導體線，其在列方向上個別地互連所述豎直晶體管中的相應多個豎直晶體管，所述導體線個別地包括位于金屬材料頂上且直接抵靠所述金屬材料的所述第二導電氧化物材料；所述第一導電氧化物材料、所述第二導電氧化物材料以及所述金屬材料相對彼此包括不同組分；所述導體線的所述第二導電氧化物材料位于所述相應多個豎直晶體管的所述個別柱的所述下部源極漏極區的所述第二導電氧化物材料下方且直接抵靠所述第二導電氧化物材料； 水平延長且間隔開的導電柵極線，其個別地以操作方式位于所述個別柱的所述溝道區的所述氧化物半導體材料旁邊，且在行方向上個別地互連相應多個所述豎直晶體管；以及 導電結構，其在所述行方向上橫向地位于所述間隔開的導體線中的緊鄰的間隔開的導體線之間且與所述緊鄰的間隔開的導體線間隔開，所述導電結構個別地包括高于所述導體線的所述金屬材料的頂部表面的頂部表面。

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