蘇州晶湛半導體有限公司程凱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州晶湛半導體有限公司申請的專利半導體器件及半導體器件的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440590B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110615684.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件及半導體器件的制備方法是由程凱設計研發完成，并于2021-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及半導體器件的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供的一種半導體器件及半導體器件的制備方法，半導體器件包括襯底、依次在襯底上形成的GaN和勢壘層、通過刻蝕所述GaN層和所述勢壘層形成的第一凹槽、形成在第一凹槽以及與所述第一凹槽相接的所述勢壘層的上表面的n型重摻雜GaN材料，本發明通過n型重摻雜GaN材料填充第一凹槽并延伸至勢壘層的上表面，改善了n型重摻雜GaN材料與GaN異質結側壁的歐姆接觸，降低了n型重摻雜GaN材料與GaN異質結側壁的接觸電阻。二次外延n型重摻雜GaN材料在第一凹槽內生長之后繼續在勢壘層上側向外延生長，有利于改善n型重摻雜GaN材料表面粗糙的問題，進一步降低n型重摻雜GaN材料和金屬的接觸電阻。
本發明授權半導體器件及半導體器件的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 依次在襯底上形成GaN層和勢壘層； 在勢壘層的上表面旋涂光刻膠，在源漏歐姆接觸區域進行顯影，形成圖案化的光刻膠層； 自所述光刻膠層暴露的勢壘層上表面向下進行刻蝕，刻蝕至所述GaN層和所述勢壘層異質結界面以下形成第一凹槽，而后使用高溫退火爐進行退火處理； 清洗掉所述圖案化的光刻膠層，在所述第一凹槽內二次外延n型重摻雜GaN材料，其中，所述n型重摻雜GaN材料向所述第一凹槽外繼續生長以在所述勢壘層的上表面愈合，且所述n型重摻雜GaN材料的厚度超過所述勢壘層的上表面的厚度為20-300nm； 圖案化所述勢壘層上的所述n型重摻雜GaN材料以暴露所述勢壘層的上表面； 在勢壘層的上表面設置與所述勢壘層肖特基接觸的柵電極以及在所述n型重摻雜GaN材料上分別設置源電極和漏電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶湛半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號西北區20幢517-A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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