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龍圖騰網獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115020493B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110922399.9，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由加藤浩朗;下村紗矢;馬場祥太郎;稻田充郎;吉田裕史;河井康宏設計研發完成，并于2021-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。實施方式的半導體裝置具備半導體部、第一～第三電極以及控制電極。所述第一電極設于所述半導體部的背面上，所述第二電極設于所述半導體部的表面側。所述第三電極以及所述控制電極設于所述半導體部的溝槽的內部。所述控制電極包含第一控制部和第二控制部。所述半導體裝置還具備第一～第三絕緣膜。所述第一絕緣膜設于所述控制電極與所述半導體部之間。所述第二絕緣膜覆蓋所述第一控制部及所述第二控制部，所述第三絕緣膜設于所述第二電極與所述第二絕緣膜之間。所述第三絕緣膜包含在所述第一控制部與所述第二控制部之間延伸的部分，所述第三電極位于所述第一電極與所述第三絕緣膜的所述延伸的部分之間。

本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具備： 半導體部，包含第一導電型的第一半導體層、第二導電型的第二半導體層以及第一導電型的第三半導體層； 第一電極，設于所述半導體部的背面側； 第二電極，設于所述半導體部的表面側，所述第一半導體層在所述第一電極與所述第二電極之間延伸，所述第二半導體層設于所述第一半導體層與所述第二電極之間，所述第三半導體層設于所述第二半導體層與所述第二電極之間； 控制電極，設于所述半導體部內，包含在與從所述第一電極朝向所述第二電極的第二方向交叉的第一方向上排列的第一控制部及第二控制部；以及連接部，將所述第一控制部及所述第二控制部一體化； 第一絕緣膜，設于所述控制電極的所述第一控制部或所述第二控制部與所述第二半導體層之間； 第二絕緣膜，設于所述第一控制部與所述第二控制部之間，并覆蓋所述第一控制部及所述第二控制部； 第三絕緣膜，包含：第一部分，位于所述第一控制部與所述第二電極之間；第二部分，位于所述第二控制部與所述第二電極之間；第三部分，位于所述第一部分與所述第二部分之間，在所述第一控制部與所述第二控制部之間延伸，所述第二絕緣膜設于所述控制電極與所述第三絕緣膜之間； 第三電極，設于所述半導體部內，在所述第二方向上延伸，具有位于所述第一電極與所述第三絕緣膜的所述第三部分之間的部分和位于所述第一電極與所述控制電極的所述連接部之間的部分； 第四絕緣膜，位于所述第一半導體層與所述第三電極之間，所述控制電極的所述第一控制部及所述第二控制部設于所述第二電極與所述第四絕緣膜之間； 第五絕緣膜，設于所述第三絕緣膜的所述第三部分與所述第三電極之間以及所述控制電極的所述連接部與所述第三電極之間；以及 第六絕緣膜，設于所述控制電極的所述連接部與所述第五絕緣膜之間，包含與所述第五絕緣膜的材料不同的材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。