南亞科技股份有限公司施江林獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114156269B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110960595.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由施江林;呂增富;林正平設計研發(fā)完成，并于2021-08-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法。該半導體結(jié)構(gòu)具有一基底，該基底具有一第一上表面。一主動區(qū)是被在該基底中的一絕緣區(qū)所圍繞。一埋入電源線以及一埋入信號線設置在該基底內(nèi)以及在該主動區(qū)中。一第一電路層設置在該第一的該第一上表面上，以覆蓋該埋入電源線與該埋入信號線。一第二電路層設置在該基底的該上表面上，并與該第一電路層分開設置。一單元胞電容器設置在該第一電路層上，并電性耦接到該第一電路層。
本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)，包括： 一基底，具有一第一上表面； 一主動區(qū)，被在該基底中的一絕緣區(qū)所圍繞； 一埋入電源線以及一埋入信號線，設置在該基底內(nèi)并位于該主動區(qū)中； 一第一電路層，設置在該基底的該第一上表面上，并覆蓋該埋入電源線與該埋入信號線； 一第二電路層，設置在該基底的該第一上表面上，并與該第一電路層分開設置，其中該第二電路層未覆蓋該埋入電源線與該埋入信號線；以及 一單元胞電容器，設置在該第一電路層上，并電性耦接到該第一電路層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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