鴻海精密工業股份有限公司蔣光浩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鴻海精密工業股份有限公司申請的專利半導體結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921388B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111170622.5，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權半導體結構的制作方法是由蔣光浩設計研發完成，并于2021-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制作方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的制作方法包括以下操作。形成堆疊結構于基板上，堆疊結構包括交替堆疊的復數個半導體層和復數個犧牲層，其中這些犧牲層含有鍺，這些犧牲層的鍺濃度由下往上遞減。形成虛擬閘極結構于堆疊結構上。形成間隙壁于虛擬閘極結構的兩側。移除虛擬閘極結構，從而形成開口。從開口移除這些犧牲層。形成閘極結構，覆蓋這些半導體層。在另一制作方法中，堆疊結構包括交替堆疊的復數個半導體層和復數個犧牲層，其中這些半導體層的厚度由下往上遞增，或是這些犧牲層的厚度由下往上遞增。上述堆疊結構的設計能夠避免移除犧牲層后可能發生的半導體層形狀不均問題，而使剩下的半導體層形狀一致，具有類似的厚度及寬度。
本發明授權半導體結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括： 形成堆疊結構于基板上，該堆疊結構包括交替堆疊的復數個半導體層和復數個犧牲層，其中該些半導體層的厚度由下往上等差遞增，形成該堆疊結構于該基板上包括： 依序形成第一犧牲層、第一半導體層、第二犧牲層及第二半導體層于該基板上的操作；以及 重復依序形成該第一犧牲層、該第一半導體層、該第二犧牲層及該第二半導體層于該基板上的該操作； 形成虛擬閘極結構于該堆疊結構上； 形成間隙壁于該虛擬閘極結構的兩側； 移除該虛擬閘極結構，從而形成開口； 從該開口移除該些犧牲層；以及 形成閘極結構，覆蓋該些半導體層。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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