江西兆馳半導體有限公司賈釗獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種外延結構及其外延生長方法、LED芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114583024B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210199467.8，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種外延結構及其外延生長方法、LED芯片是由賈釗;竇志珍;蘭曉雯;楊琦;胡加輝;金從龍;顧偉設計研發完成，并于2022-03-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種外延結構及其外延生長方法、LED芯片在說明書摘要公布了：本發明提供一種外延結構及其外延生長方法、LED芯片，外延結構包括襯底、外延生長于襯底上的N型覆蓋層、以及外延生長于N型覆蓋層上的多量子阱層，多量子阱層包括多對交替生長的量子阱層和量子壘層；其中，N型覆蓋層的Si摻濃度大于3e17，并且量子阱層和量子壘層的對數隨N型覆蓋層的Si摻濃度的增加而增加。此外，本發明通過增加N型覆蓋層的Si摻濃度，提高了N層載流子濃度，這樣在同等條件下，載流子遷移機率增加，使得外延PN結復合效率上升。此外，隨著N型覆蓋層的摻雜濃度的增加，還讓多量子阱層同步增加壘和阱的對數，提高了載流子溢流的極限，使得光強飽和值上升，從而使同制程下芯片可得到的亮度更高。
本發明授權一種外延結構及其外延生長方法、LED芯片在權利要求書中公布了：1.一種外延結構，其特征在于，包括襯底、外延生長于所述襯底上的N型覆蓋層、以及外延生長于所述N型覆蓋層上的多量子阱層，所述多量子阱層包括多對交替生長的量子阱層和量子壘層，所述N型覆蓋層為Si摻的AlInP層； 其中，所述N型覆蓋層的Si摻濃度大于3e17cm3，并且所述量子阱層和所述量子壘層的對數隨所述N型覆蓋層的Si摻濃度的增加而增加； 其中，所述N型覆蓋層的Si摻濃度每增加一倍所述量子阱層和所述量子壘層的對數增加一對。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號