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龍圖騰網獲悉北京知存科技有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114743976B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210507404.4，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權半導體器件及其制造方法是由王春明;王紹迪設計研發完成，并于2022-05-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導體器件及其制造方法。該制造方法包括：在襯底上依次形成氧化物層、浮置柵極層、電介質層、控制柵極層和硬掩模層；蝕刻硬掩模層、控制柵極層、電介質層和浮置柵極層，以形成柵極堆疊體；移除氧化物層的在襯底的第一區域和第二區域上的部分；在襯底的第一區域和第二區域上分別形成第一選擇柵極氧化物結構和第二選擇柵極氧化物結構，并且，在柵極堆疊體兩側分別形成隧穿氧化物結構；在隧穿氧化物結構的與柵極堆疊體相對的一側分別形成選擇柵極；蝕刻柵極堆疊體，以形成第一開口；在襯底的位于第一開口下方的部分中形成源極區域；以及在選擇柵極的與第一開口相對的一側的襯底中形成漏極區域。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，包括： 在襯底上依次形成氧化物層、浮置柵極層、電介質層、控制柵極層和硬掩模層； 蝕刻所述硬掩模層、所述控制柵極層和所述電介質層，形成包括所述硬掩模層、所述控制柵極層和所述電介質層的剩余部分； 在所述硬掩模層、所述控制柵極層和所述電介質層的剩余部分的兩側形成第一控制柵極間隔體和第二控制柵極間隔體； 蝕刻所述浮置柵極層，形成包括所述浮置柵極層、所述電介質層、所述控制柵極層和所述硬掩模層的剩余部分的柵極堆疊體； 移除所述氧化物層的在所述襯底的第一區域和第二區域上的部分，其中，所述第一區域和所述第二區域位于所述柵極堆疊體兩側； 在所述襯底的所述第一區域和所述第二區域上分別形成第一選擇柵極氧化物結構和第二選擇柵極氧化物結構，并且，在所述柵極堆疊體兩側分別形成第一隧穿氧化物結構和第二隧穿氧化物結構； 在所述第一隧穿氧化物結構的與所述柵極堆疊體相對的一側形成第一選擇柵極，并且，在所述第二隧穿氧化物結構的與所述柵極堆疊體相對的一側形成第二選擇柵極； 蝕刻所述柵極堆疊體，以形成穿過所述硬掩模層、所述控制柵極層、所述電介質層和所述浮置柵極層的剩余部分的第一開口，在所述第一開口兩側形成第一柵極結構和第二柵極結構，其中，所述第一柵極結構包括第一浮置柵極、第一電介質結構、第一控制柵極、和第一硬掩模，所述第二柵極結構包括第二浮置柵極、第二電介質結構、第二控制柵極、和第二硬掩模，所述第一控制柵極間隔體僅在所述第一控制柵極的一側，形成不對稱的控制柵極間隔體，所述第二控制柵極間隔體僅在所述第二控制柵極的一側，形成不對稱的控制柵極間隔體； 在所述襯底的位于所述第一開口下方的部分中形成源極區域；以及 在所述第一選擇柵極的與所述第一開口相對的一側的襯底中形成第一漏極區域，并且，在所述第二選擇柵極的與所述第一開口相對的一側的襯底中形成第二漏極區域。

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