廣東省科學院半導體研究所李育智獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣東省科學院半導體研究所申請的專利金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法和顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823917B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210569810.3，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法和顯示面板是由李育智;龔政;陳志濤;郭嬋;王建太;鄒勝晗;潘章旭設計研發完成，并于2022-05-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法和顯示面板在說明書摘要公布了：本申請提供一種金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法和顯示面板，涉及半導體技術領域。本申請通過在基底的一側依次制備氮硅層、柵極、覆蓋柵極的柵介質層以及至少覆蓋柵介質層的金屬氧化物層，使金屬氧化物層中與氮硅層接觸的部分區域經氮硅層所含有的氫或氟擴散摻雜進行導體化，形成源極區域和漏極區域，該金屬氧化物層中與柵介質層接觸且未導體化的部分區域即為連通源極區域和漏極區域的半導體區域，柵極、源極區域和漏極區域處于同一氮硅層表面上。因此，該薄膜晶體管器件能夠通過極為簡單的自對準底柵結構實現較低的寄生電容和較高的工作頻率上限，并具有制備工藝簡單的特點，可低成本制備高圖像顯示質量的顯示面板。
本發明授權金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法和顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物薄膜晶體管器件，其特征在于，所述薄膜晶體管器件包括： 基底； 設置在所述基底上的氮硅層； 設置在所述氮硅層的遠離所述基底的一側的柵極； 覆蓋在所述柵極的未與所述氮硅層接觸的外表面上的柵介質層； 至少覆蓋所述柵介質層的未與所述氮硅層接觸的外表面的金屬氧化物層；所述金屬氧化物層包括源極區域、半導體區域及漏極區域，所述源極區域與所述漏極區域分別位于所述半導體區域的兩側并與所述半導體區域相互連通，其中所述源極區域與所述漏極區域均由所述金屬氧化物層接觸到的所述氮硅層所含有的氫或氟擴散摻雜形成；其中，所述柵極、所述源極區域和所述漏極區域處于所述氮硅層的同一外側表面上，由所述柵介質層分隔開所述柵極、所述源極區域和所述漏極區域，所述柵極處于所述半導體區域的投影覆蓋范圍內；所述氮硅層用于隔絕水氧，并對與自身接觸的半導體材料進行導體化。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東省科學院半導體研究所，其通訊地址為：510651 廣東省廣州市天河區長興路363號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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