拉普拉斯(無錫)半導體科技有限公司祁文杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉拉普拉斯(無錫)半導體科技有限公司申請的專利一種硅片擴散方法以及電池片制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115036209B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210625701.9，技術領域涉及：H01L21/223；該發明授權一種硅片擴散方法以及電池片制備方法是由祁文杰;梁笑;毛文龍;范偉;盧佳設計研發完成，并于2022-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅片擴散方法以及電池片制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅片擴散方法以及電池片制備方法,本發明通過在石英舟上單片區域和下單片區域裝載單片硅片，雙片區域裝載雙片硅片，在擴散時，雙片硅片采用單面擴散，單片硅片雙面擴散。上單片區域以及下單片區域中裝載硅片朝向雙片區域的一面為擴散面，非朝向雙片區域的一面為非擴散面。其中，硅片非朝向雙片區域的一面通過擴散后的刻蝕工序進行完全去除繞擴繞擴，從而形成非擴散面，消除該面因靠近熱場而導致的低方阻影響。
本發明授權一種硅片擴散方法以及電池片制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅片擴散方法,其特征在于：包括以下步驟： S01：裝舟，將硅片分區插入石英舟，所述石英舟包括上單片區域、下單片區域以及雙片區域，雙片區域位于上單片區域和下單片區域之間，上單片區域以及下單片區域裝載單片硅片，雙片區域裝載雙片硅片； 硅片插入石英舟的方向與氣流水平擴散方向平行或近似平行； 上單片區域以及下單片區域中裝載的硅片朝向雙片區域的一面為擴散面，非朝向雙片區域的一面為非擴散面； S02：磷擴散，對硅片進行磷擴散形成PN結。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人拉普拉斯(無錫)半導體科技有限公司，其通訊地址為：214192 江蘇省無錫市錫山區錫北鎮錫港路張涇東段209號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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