上海聯影微電子科技有限公司施長治獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海聯影微電子科技有限公司申請的專利硅通孔測試結構和測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115116876B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210733014.9，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權硅通孔測試結構和測試方法是由施長治設計研發完成，并于2022-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅通孔測試結構和測試方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種硅通孔襯底噪聲的測試結構，該測試結構中第一激勵硅通孔和第二激勵硅通孔均內嵌于測試晶圓襯底正面，第一激勵硅通孔和第二激勵硅通孔通過電學連接形成激勵硅通孔對；各測試接觸區制備在激勵硅通孔周邊；對激勵硅通孔對施加脈沖信號，通過測量各測試接觸區的對地響應信號確定硅通孔襯底噪聲。該測試結構簡化了獲取激勵硅通孔的襯底噪聲的測試結構，可有效地獲取到激勵硅通孔的襯底噪聲。
本發明授權硅通孔測試結構和測試方法在權利要求書中公布了：1.一種硅通孔襯底噪聲的測試結構，其特征在于，所述測試結構包括：第一激勵硅通孔、第二激勵硅通孔、至少一組測試接觸區和內嵌在測試晶圓襯底的正面的至少一個硅通孔簇； 所述第一激勵硅通孔和第二激勵硅通孔均內嵌于所述測試晶圓襯底正面，所述第一激勵硅通孔和所述第二激勵硅通孔通過電學連接形成激勵硅通孔對；各所述測試接觸區在所述激勵硅通孔周邊； 每組測試接觸區均包括：正面測試接觸區和或背面測試接觸區；所述正面測試接觸區制備在所述測試晶圓襯底的正面；所述背面測試接觸區制備在所述測試晶圓襯底的背面與所述正面測試接觸區相對應的位置； 所述至少一個硅通孔簇中的任意一個硅通孔簇包括至少兩個并聯的硅通孔；所述至少兩個并聯的硅通孔的頂部通過金屬延伸電極連接，所述至少兩個并聯的硅通孔的底部通過金屬延伸電極連接到所述背面測試接觸區； 對所述激勵硅通孔對施加脈沖信號，測量各所述測試接觸區的對地響應信號確定硅通孔襯底噪聲。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海聯影微電子科技有限公司，其通訊地址為：201899 上海市嘉定區皇慶路333號1幢8層B區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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