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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利一種MOS器件的溝道遷移率和光刻變化量的檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115172201B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210978074.7，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種MOS器件的溝道遷移率和光刻變化量的檢測方法是由申占偉;孫國勝;曾一平設計研發完成，并于2022-08-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MOS器件的溝道遷移率和光刻變化量的檢測方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種MOS器件的溝道遷移率和光刻變化量的檢測方法，包括：制備第一MOS器件和第二MOS器件；根據第一MOS器件線性區的導通電阻R1和第二MOS器件線性區的導通電阻R2，得到兩者之間的差值ΔR1；根據第一柵溝槽的個數、單位長度和第一柵溝槽的寬度得到M1；繪制ΔR1與M1的曲線圖，確定曲線斜率K2和截距rs；根據柵電極接觸的單位面積電容、柵電極接觸點處所施加的電壓以及第一MOS器件第二MOS器件中以N漂移層為溝道的閾值電壓得到M2；通過K2與M2，得到MOS器件積累型溝道遷移率。本公開有效避免光刻、刻蝕等工藝對所提取溝道遷移率準確性的影響，豐富了MOS器件溝道遷移率的檢測途徑。

本發明授權一種MOS器件的溝道遷移率和光刻變化量的檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種MOS器件積累型溝道遷移率的檢測方法，其特征在于，包括： 采用所述MOS器件的制備工藝制備第一MOS器件和第二MOS器件，其中，所述第一MOS器件上等距開設有n個第一柵溝槽110，所述n個第一柵溝槽110的寬度W相同，所述第二MOS器件上等距開設有n個第二柵溝槽120，所述n個第二柵溝槽120的寬度依次為W、W+Δx、W+2Δx、W+3Δx...W+n-1Δx； 根據第一MOS器件線性區的導通電阻R1和第二MOS器件線性區的導通電阻R2，得到兩者之間的差值ΔR1； 根據所述第一柵溝槽110第二柵溝槽120的個數、單位長度和所述第一柵溝槽110的寬度得到M1，n表示所述第一柵溝槽110第二柵溝槽120的個數，Δx表示所述單位長度，W表示所述第一柵溝槽110的寬度； 繪制所述ΔR1與所述M1的曲線圖，確定曲線斜率K2和截距rs； 根據柵電極接觸80的單位面積電容、所述柵電極接觸點處所施加的電壓以及所述第一MOS器件第二MOS器件中以N漂移層30為溝道的閾值電壓得到M2，M2＝COXVG-VT2；COX表示所述柵電極接觸80的單位面積電容，VG表示所述柵電極接觸點處所施加的電壓，VT2表示所述第一MOS器件第二MOS器件中以N漂移層30為溝道的閾值電壓； 通過所述K2與所述M2，得到所述MOS器件積累型溝道遷移率

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