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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢理工大學(xué);廣東匯成真空科技股份有限公司申請的專利一種石墨烯/碳化硅復(fù)合材料及其制備方法與在電磁屏蔽設(shè)備中的應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115928043B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211320430.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/30；該發(fā)明授權(quán)一種石墨烯/碳化硅復(fù)合材料及其制備方法與在電磁屏蔽設(shè)備中的應(yīng)用是由章嵩;徐青芳;涂溶;張聯(lián)盟;李志榮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-10-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種石墨烯/碳化硅復(fù)合材料及其制備方法與在電磁屏蔽設(shè)備中的應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種石墨烯碳化硅復(fù)合材料及其制備方法與在電磁屏蔽設(shè)備中的應(yīng)用，所述石墨烯碳化硅復(fù)合材料由多層石墨烯和碳化硅晶粒復(fù)合得到，所述碳化硅晶粒均勻分布形成薄膜，多層石墨烯密實(shí)填充于碳化硅晶粒的表面和晶界之間，形成大量納米級石墨烯碳化硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的石墨烯碳化硅復(fù)合材料具有高電導(dǎo)率，且具有良好的電磁屏蔽性能和耐高溫氧化性能，在0.45mm厚度下，其電磁屏蔽效能為74.2dB，其耐熱指數(shù)THRI＝330.13℃，保證了該復(fù)合材料在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性，在電磁屏蔽設(shè)備等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種石墨烯/碳化硅復(fù)合材料及其制備方法與在電磁屏蔽設(shè)備中的應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種石墨烯碳化硅復(fù)合材料，其特征在于，所述石墨烯碳化硅復(fù)合材料由多層石墨烯和碳化硅晶粒復(fù)合得到，所述碳化硅晶粒均勻分布形成薄膜，多層石墨烯密實(shí)填充于碳化硅晶粒的表面和晶界之間，形成大量納米級石墨烯碳化硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述多層石墨烯層數(shù)為6～20層； 其制備方法具體步驟如下： 1將清洗干凈的基板放入激光化學(xué)氣相沉積設(shè)備的沉積腔體中，調(diào)整基板位置使其位于激光覆蓋范圍內(nèi)； 2將沉積腔體抽真空至10Pa以下，通入H2和含有前驅(qū)體的載氣，調(diào)節(jié)沉積壓強(qiáng)為200～3000Pa，并穩(wěn)定5分鐘； 3開啟激光照射基板，使基板表面升溫至沉積溫度進(jìn)行沉積，沉積溫度為1400～1600℃，沉積時間為10～60min，沉積結(jié)束后依次關(guān)閉前驅(qū)體、載氣和激光，當(dāng)基板溫度降至150℃時關(guān)閉H2，然后抽真空至20Pa以下，使基片冷卻至室溫，在基片表面得到石墨烯碳化硅復(fù)合材料。

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