深圳新聲半導體有限公司馮端獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳新聲半導體有限公司申請的專利一種集成無源器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358788B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510828470.5，技術領域涉及：H10D84/00；該發明授權一種集成無源器件及其制作方法是由馮端;鄒潔設計研發完成，并于2025-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種集成無源器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種集成無源器件及其制作方法。涉及半導體技術領域。其中，集成無源器件包括襯底；以及位于襯底一側且沿第一方向排列的第一類無源元件和第二類無源元件；其中，第一類無源元件和第二類無源元件連接，第一方向為平行于襯底表面的方向。通過將集成無源器件中在襯底上沉積的無源元件從垂直堆疊改為水平排列布局（沿平行于襯底表面的第一方向排列），至少減少一層介質層的使用，層間寄生電容和介質材料的損耗得以降低，從而提升電感Q值和自諧振頻率，最終提高器件性能。進而解決了現有技術中的集成無源器件采用垂直堆疊架構布置各類無源元件，因多層介質層引入層間寄生電容與高頻損耗，導致器件性能穩定性差的技術問題。
本發明授權一種集成無源器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種集成無源器件，其特征在于，包括：襯底；以及位于所述襯底一側且沿第一方向排列的第一類無源元件和第二類無源元件；其中，所述第一類無源元件和所述第二類無源元件連接，所述第一方向為平行于所述襯底表面的方向；其中，所述第二類無源元件包括在垂直于所述襯底表面的方向上依次沉積的第一電感層、第一金屬支撐結構、第二介質層和第二電感層； 所述第一電感層包括沿所述第一方向間隔分布的至少兩個電感區域； 所述第一金屬支撐結構包括沿所述第一方向間隔分布的兩類支撐單元；其中，第一類支撐單元以非接觸方式位于相鄰電感區域之間并覆蓋所述襯底的部分表面，第二類支撐單元分別位于各個電感區域遠離所述襯底的一側； 所述第二介質層覆蓋第一類支撐單元的全部表面并裸露每個第二類支撐單元的部分表面；以及 所述第二電感層覆蓋所述第二介質層以及每個第二類支撐單元的裸露表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳新聲半導體有限公司，其通訊地址為：518049 廣東省深圳市福田區梅林街道梅都社區中康路136號深圳新一代產業園3棟801；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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