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龍圖騰網獲悉西安龍飛電氣技術有限公司申請的專利基于雙面散熱MOSFET的雙相高功率密度電源獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120415080B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510905495.0，技術領域涉及：H02M1/00；該發明授權基于雙面散熱MOSFET的雙相高功率密度電源是由劉少雄;曹琳;朱飛設計研發完成，并于2025-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于雙面散熱MOSFET的雙相高功率密度電源在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于雙面散熱MOSFET的雙相高功率密度電源，屬于開關電源技術領域，包括：雙相電源主控芯片產生各相電源的控制信號；第一、第二相電源主功率半橋電路，根據雙面散熱MOSFET進行設計，并根據控制信號產生各相電源的輸出電壓；雙相電源主控芯片布設于PCB板背面的中心，第一、第二相電源主功率半橋電路對稱布設于PCB板兩端；第一、第二相電源主功率半橋電路中構成上管電路的雙面散熱MOSFET布設于PCB板正面、構成下管電路的雙面散熱MOSFET布設于PCB板背面；第一、第二相電源主功率半橋電路中主功率電感布設于上管電路的雙面散熱MOSFET的上方，利用功率管上方縱向空間，不占用PCB板面積。

本發明授權基于雙面散熱MOSFET的雙相高功率密度電源在權利要求書中公布了：1.一種基于雙面散熱MOSFET的雙相高功率密度電源，其特征在于，所述雙相高功率密度電源包括： 雙相電源主控芯片，用于產生各相電源的控制信號； 第一相電源主功率半橋電路和第二相電源主功率半橋電路，用于根據所述控制信號產生各相電源對應的輸出電壓；所述第一相電源主功率半橋電路和所述第二相電源主功率半橋電路分別基于若干雙面散熱MOSFET功率管和一個主功率電感而設計； 其中，所述雙相電源主控芯片布設于PCB板背面的中心區域，所述第一相電源主功率半橋電路和所述第二相電源主功率半橋電路對稱性地布設于PCB板的兩端區域；所述第一相電源主功率半橋電路包括第一上管電路、第一下管電路和第一主功率電感，所述第二相電源主功率半橋電路包括第二上管電路、第二下管電路和第二主功率電感，所述第一上管電路、所述第二上管電路、所述第一下管電路和所述第二下管電路分別基于若干雙面散熱MOSFET功率管而設計，且構成所述第一上管電路和所述第二上管電路的所有雙面散熱MOSFET功率管布設于PCB板的正面，構成所述第一下管電路和所述第二下管電路的所有雙面散熱MOSFET功率管布設于PCB板的背面，所述第一主功率電感布設于構成所述第一上管電路的所有雙面散熱MOSFET功率管的上方，所述第二主功率電感布設于構成所述第二上管電路的所有雙面散熱MOSFET功率管的上方，利用所述第一上管電路和所述第二上管電路上方的縱向空間，不占用PCB板的面積。

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