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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構及其設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120408902B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510906494.8，技術領域涉及：G06F30/17；該發明授權基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構及其設計方法是由楊海濱;梁才瓊;溫激鴻;鐘杰;王洋設計研發完成，并于2025-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構及其設計方法在說明書摘要公布了：本發明涉及水下低頻隔聲超結構技術領域，公開了一種基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構及其設計方法，在Gyroid晶格元胞模型上沿聲波入射方向截取并獲得一個二維截面元胞，利用在聲波入射方向上的模量降低而易發生形變的特點，實現低阻抗；通過拉伸改變元胞內部結構分布，使元胞具備各向異性，降低元胞在聲波入射方向上的模量，進一步降低阻抗；通過引入材料主軸偏轉角，激發結構內部的準縱波和準橫波，并通過縱?橫波轉換將水中入射的縱波在結構中轉換為橫波，提升隔聲性能；周期陣列排布，從中截取得到二維平面下的芯層構型，結構實體化，得到隔聲層；隔聲層兩側覆蓋蓋板，得到基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構。

本發明授權基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構及其設計方法在權利要求書中公布了：1.一種基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構的設計方法，其特征在于，包括以下步驟： S100、建立TPMS中的Gyroid晶格元胞模型； S200、在Gyroid晶格元胞模型上沿聲波入射方向截取并獲得一個二維截面元胞，利用二維截面元胞在聲波入射方向上的模量降低而易發生形變的特點，以降低二維截面元胞內部的聲波速度，進而實現低阻抗； S300、將二維截面元胞進行元胞拉伸設計，通過拉伸改變元胞內部結構分布，使元胞具備各向異性，降低元胞在聲波入射方向上的模量，進一步降低阻抗； S400、偏轉元胞材料主軸角設計，通過改變元胞的剛度分布，激發結構內部的準縱波和準橫波，并通過縱-橫波轉換將水中入射的縱波在結構中轉換為橫波，提升隔聲性能； S500、偏轉元胞材料主軸角后的二維截面元胞進行周期陣列排布，從中截取得到二維平面下的芯層構型，通過拉伸進行結構實體化，進而得到隔聲層（20）； S600、隔聲層（20）兩側覆蓋蓋板（10），兩個蓋板（10）平行布設，得到基于TPMS的耐壓水下低頻隔聲超結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。