麥斯塔微電子(深圳)有限公司黃壽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉麥斯塔微電子(深圳)有限公司申請的專利MEMS諧振器及其復合制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120512116B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511001645.1，技術領域涉及：H03H3/007；該發明授權MEMS諧振器及其復合制備方法是由黃壽設計研發完成，并于2025-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本MEMS諧振器及其復合制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及諧振器技術領域，公開了一種MEMS諧振器及其復合制備方法，MEMS諧振器復合制備方法包括：形成一高摻雜的第一單晶硅層，以作為支撐基底；在第一單晶硅層上形成壓電材料層；在壓電材料層上以第一設定速率形成種子層，以及在種子層上以第二設定速率外延形成主體層，種子層和主體層復合形成高摻雜的第二單晶硅層；對基于第一單晶硅層、壓電材料層和第二單晶硅層構建的疊層結構層進行深反應離子刻蝕，形成諧振器本體、連接梁及錨固件，其中，諧振器本體懸空設置，以及諧振器本體經連接梁與錨固件連接。本申請提高MEMS諧振器的機電耦合效率和品質因數，以及保證MEMS諧振器的溫度穩定性。
本發明授權MEMS諧振器及其復合制備方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS諧振器復合制備方法，其特征在于，包括： 形成一高摻雜的第一單晶硅層，以作為支撐基底； 在所述第一單晶硅層上形成壓電材料層； 在所述壓電材料層上以第一設定速率形成種子層，以及在所述種子層上以第二設定速率外延形成主體層，所述種子層和所述主體層復合形成高摻雜的第二單晶硅層，其中，所述第一設定速率包括0.05-0.2nms，所述第二設定速率包括0.1-1μmmin； 對基于所述第一單晶硅層、所述壓電材料層和所述第二單晶硅層構建的疊層結構層進行深反應離子刻蝕，形成諧振器本體、連接梁及錨固件，其中，所述諧振器本體懸空設置，以及所述諧振器本體經所述連接梁與所述錨固件連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人麥斯塔微電子(深圳)有限公司，其通訊地址為：518049 廣東省深圳市福田區梅林街道梅都社區中康路136號深圳新一代產業園1棟401；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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