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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州領(lǐng)慧立芯科技有限公司申請的專利一種多路雙向限流保護電路及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120545932B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202511044641.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02H9/02；該發(fā)明授權(quán)一種多路雙向限流保護電路及方法是由仲戍;李亞;祝華偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-07-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種多路雙向限流保護電路及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及集成電路測試技術(shù)領(lǐng)域，具體公開一種多路雙向限流保護電路及方法，該保護電路包括：電流通路，包括依次電連接的第一NMOS功率管、第一電阻、第二電阻和第二NMOS功率管；采樣控制單元，包括第一NPN管、第二NPN管和多個控制電阻，用于對第一電阻和第二電阻的總電壓進行采樣，并基于采樣的總電壓值調(diào)整第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的柵極電壓，限制電流通路的電流。本發(fā)明通過第一NPN管、第二NPN管和多個控制電阻于對第一電阻和第二電阻的總電壓進行采樣，并基于采樣的總電壓值調(diào)整第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的柵極電壓，使二者均工作在飽和區(qū)，從而限制電流通路的電流，從而有效保護了測試硬件上的探針和彈簧針。

本發(fā)明授權(quán)一種多路雙向限流保護電路及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多路雙向限流保護電路，其特征在于，每路保護電路包括： 電流通路，包括依次電連接的第一NMOS功率管、第一電阻、第二電阻和第二NMOS功率管； 采樣控制單元，包括第一NPN管、第二NPN管和多個控制電阻，用于對所述第一電阻和第二電阻的總電壓進行采樣，并基于采樣的總電壓值調(diào)整所述第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的柵極電壓，使二者均工作在飽和區(qū)，從而限制所述電流通路的電流； 所述第一NMOS功率管的漏極與自動化測試設(shè)備的總大電流通路電連接，源極與所述第一電阻的一端電連接； 所述第一電阻的另一端與所述第二電阻的一端電連接，所述第二電阻的另一端與所述第二NMOS功率管的源極電連接； 所述第二NMOS功率管的漏極與需要保護的測試硬件電連接； 每路保護電路還包括第一電容和第二電容； 所述多個控制電阻包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻和第八電阻； 所述第一電容跨接于所述第一NMOS功率管的柵漏極之間，所述第二電容跨接于所述第二NMOS功率管的柵漏極之間； 所述第一NPN管的基極與所述第二NMOS功率管的源極電連接，集電極經(jīng)所述第三電阻與所述第一NMOS功率管的柵極電連接，發(fā)射集經(jīng)所述第四電阻與第一NMOS功率管的源極電連接； 所述第二NPN管的基極與所述第一NMOS功率管的源極電連接，集電極經(jīng)所述第七電阻與所述第二NMOS功率管的柵極電連接，發(fā)射集經(jīng)所述第六電阻與第二NMOS功率管的源極電連接； 所述第一電阻的另一端還分別與所述第五電阻和第八電阻的一端電連接； 所述第五電阻的另一端分別與所述第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的柵極電連接，且該端作為柵極控制端； 所述第八電阻的另一端作為浮動參考端。

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