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龍圖騰網(wǎng)獲悉QORVO美國公司申請的專利RF半導體裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113614896B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080023383.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/56；該發(fā)明授權(quán)RF半導體裝置及其制造方法是由朱利奧·C·科斯塔;邁克爾·卡羅爾設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-01-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本RF半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種射頻裝置，所述射頻裝置包含傳遞裝置管芯和位于所述傳遞裝置管芯之下的多層重新分布結(jié)構(gòu)。所述傳遞裝置管芯包含裝置區(qū)域和傳遞襯底，所述裝置區(qū)域具有后段制程BEOL部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。所述FEOL部分包含隔離區(qū)段和有源層，所述有源層被所述隔離區(qū)段圍繞。所述裝置區(qū)域的頂表面是平坦化的。所述傳遞襯底位于所述裝置區(qū)域的所述頂表面之上。在本文中，在所述傳遞襯底內(nèi)或在所述傳遞襯底與所述有源層之間不存在硅晶體。所述多層重新分布結(jié)構(gòu)包含多個凸起結(jié)構(gòu)，所述多個凸起結(jié)構(gòu)位于所述多層重新分布結(jié)構(gòu)的底部處并且電耦接到所述傳遞裝置管芯的所述FEOL部分。

本發(fā)明授權(quán)RF半導體裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種射頻裝置，包括： 傳遞裝置管芯，所述傳遞裝置管芯包括裝置區(qū)域和傳遞襯底，其中： 所述裝置區(qū)域包含鈍化層、前段制程部分和位于所述前段制程部分之下的后段制程部分，其中所述前段制程部分包括隔離區(qū)段和有源層； 所述有源層的底表面和每個隔離區(qū)段的底表面基本共面，所述有源層未豎直延伸超過每個隔離區(qū)段的頂表面，并且所述有源層被所述隔離區(qū)段圍繞； 所述隔離區(qū)段由二氧化硅形成； 所述鈍化層由二氧化硅形成，位于所述有源層之上并被所述隔離區(qū)段圍繞； 每個隔離區(qū)段的頂表面和所述鈍化層的頂表面共面并形成所述裝置區(qū)域的頂表面，所述裝置區(qū)域的頂表面是平坦化的；并且 所述傳遞襯底位于所述裝置區(qū)域的所述頂表面之上，其中在所述傳遞襯底內(nèi)或在所述傳遞襯底與所述裝置區(qū)域內(nèi)的所述有源層之間不存在不具有鍺、氮或氧含量的硅晶體；以及 多層重新分布結(jié)構(gòu)，所述多層重新分布結(jié)構(gòu)形成于所述傳遞裝置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多層重新分布結(jié)構(gòu)包括多個凸起結(jié)構(gòu)，所述多個凸起結(jié)構(gòu)位于所述多層重新分布結(jié)構(gòu)的底表面上并且電耦接到所述傳遞裝置管芯的所述前段制程部分。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人QORVO美國公司，其通訊地址為：美國北卡羅萊納州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。