株式會社國際電氣山口大吾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社國際電氣申請的專利基板處理方法、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和程序產品獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114902382B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080091072.5，技術領域涉及：H01L21/31；該發明授權基板處理方法、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和程序產品是由山口大吾;佐野敦;橋本良知設計研發完成，并于2020-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本基板處理方法、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和程序產品在說明書摘要公布了：本發明具有：a在第一溫度下將包含對在表面形成有凹部的基板供給原料氣體的工序、對基板供給第一含氮和氫氣體的工序、以及對基板供給第二含氮和氫氣體的工序的循環進行預定次數，從而使包含原料氣體、第一含氮和氫氣體、以及第二含氮和氫氣體中的至少一種所含的元素的低聚物在基板的表面和凹部內生成并生長、流動，在基板的表面和凹部內形成含低聚物層的工序；以及b在第一溫度以上的第二溫度下，對在基板的表面和凹部內形成有含低聚物層的基板進行后處理，從而使在基板的表面和凹部內形成的含低聚物層改性，以埋入凹部內的方式形成將含低聚物層改性而成的膜的工序。
本發明授權基板處理方法、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和程序產品在權利要求書中公布了：1.一種基板處理方法，其特征在于，具有： a在第一溫度下將包含同時地進行對在表面形成有凹部的基板供給原料氣體的工序和對所述基板供給第一含氮和氫氣體的工序的工序、以及對所述基板供給第二含氮和氫氣體的工序的循環進行預定次數，從而使包含所述原料氣體、所述第一含氮和氫氣體、以及所述第二含氮和氫氣體中的至少一種所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部內生成并生長、流動，在所述基板的表面和所述凹部內形成含低聚物層的工序；以及 b在所述第一溫度以上的第二溫度下，對在所述基板的表面和所述凹部內形成有所述含低聚物層的所述基板進行后處理，從而使在所述基板的表面和所述凹部內形成的所述含低聚物層改性，以埋入所述凹部內的方式形成將所述含低聚物層改性而成的膜的工序。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社國際電氣，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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