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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113394272B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010177727.2，技術領域涉及：H10D62/17；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2020-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括無效區和有效區，無效區上具有第一鰭部結構，有效區上具有第二鰭部結構；在無效區上形成橫跨第一鰭部結構的第一偽柵極結構，且第一偽柵極結構位于第一鰭部結構的部分頂部表面和側壁表面；在基底上形成覆蓋第一鰭部結構和第二鰭部結構表面的介質層，且介質層暴露出第一偽柵極結構頂部表面；去除第一偽柵極結構，在無效區上的介質層內形成第一開口，第一開口底部暴露出第一鰭部結構的部分頂部表面和側壁表面；去除所述第一開口底部暴露出的第一鰭部結構，在所述第一鰭部結構內形成第二開口，且所述第二開口暴露出基底表面。所述方法形成的半導體結構的性能較好。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括無效區和有效區，所述無效區上具有第一鰭部結構，所述有效區上具有第二鰭部結構； 位于所述基底上覆蓋所述第一鰭部結構和第二鰭部結構的介質層，所述無效區上的介質層內具有第一開口，且所述第一開口暴露出所述第一鰭部結構的部分頂部表面和側壁表面； 位于所述第一鰭部結構內的第二開口，所述第二開口由去除所述第一開口底部暴露出的第一鰭部結構形成，所述第二開口位于部分所述第一開口底部，且所述第二開口底部暴露出基底表面； 位于所述有效區上介質層內的第三開口，且所述第三開口暴露出所述第二鰭部結構的部分頂部表面和側壁表面； 所述第二鰭部結構包括沿基底表面法線方向排列的若干層溝道層，且第三開口暴露出的相鄰溝道層之間具有第四開口； 位于所述第三開口和第四開口內的第二柵極結構，且所述第二柵極結構環繞各溝道層； 所述無效區上形成的器件為無效器件；其中， 所述第一鰭部結構和第二鰭部結構的形成方法包括：在所述基底上形成初始鰭部結構，所述初始鰭部結構包括若干沿基底表面法線方向重疊的溝道層和位于溝道層表面的犧牲層；去除所述無效區上的溝道層，在無效區上相鄰犧牲層之間、以及最底層的犧牲層和基底之間形成凹槽，位于所述有效區上的溝道層和犧牲層形成所述第二鰭部結構；在所述凹槽內形成填充層，位于無效區上的填充層和犧牲層形成所述第一鰭部結構； 所述填充層的材料與所述溝道層的材料不相同； 所述填充層的材料與所述犧牲層的材料相同或者不相同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。