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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司申請的專利一種射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114171501B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010947697.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/552；該發(fā)明授權(quán)一種射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法是由黃河;向陽輝設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中，射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括：基板，所述基板的第一表面為半導(dǎo)體層；第一射頻元件，位于所述半導(dǎo)體層；介質(zhì)層，位于所述半導(dǎo)體層上、覆蓋所述第一射頻元件；第一微波吸收層，設(shè)置于所述第一射頻元件的上方；和或，第二微波吸收層，設(shè)置于所述第一射頻元件的下方；和或，第三微波吸收層，設(shè)置于相鄰所述第一射頻元件之間。本發(fā)明的第一微波吸收層、第二微波吸收層和第三微波吸收層能夠吸收射頻器件產(chǎn)生的電磁波，進而減少射頻器件之間或射頻器件與半導(dǎo)體襯底之間的電磁耦合。

本發(fā)明授權(quán)一種射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種射頻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基板，所述基板的第一表面為半導(dǎo)體層； 第一射頻元件，位于所述半導(dǎo)體層； 介質(zhì)層，位于所述半導(dǎo)體層上、覆蓋所述第一射頻元件； 第一微波吸收層，設(shè)置于所述第一射頻元件的上方；第二微波吸收層，設(shè)置于所述第一射頻元件的下方；第三微波吸收層，設(shè)置于相鄰所述第一射頻元件之間； 所述基板從下至上包括依次疊置的襯底層、絕緣層和所述半導(dǎo)體層； 相鄰所述第一射頻元件之間具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中設(shè)置有所述第三微波吸收層； 所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述半導(dǎo)體層，包括：溝槽，位于所述溝槽中的絕緣介質(zhì)，所述第三微波吸收層嵌入所述絕緣介質(zhì)中； 所述第一微波吸收層位于所述介質(zhì)層中； 所述第二微波吸收層位于所述絕緣層中，或，位于所述襯底層中或位于所述襯底層背面，或，所述襯底層為所述第二微波吸收層； 所述第一微波吸收層或所述第二微波吸收層在所述襯底層表面方向上的投影包圍所述第一射頻元件在所述襯底層表面方向上的投影。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)蔡倫路85弄95號1幢3樓C區(qū)309；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。