珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司何林飛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司申請的專利電路版圖檢測方法、裝置、設備和介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114386357B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011115693.0，技術領域涉及：G06F30/392；該發明授權電路版圖檢測方法、裝置、設備和介質是由何林飛;馬穎江;易冬柏;楊衛平;李耿民;黃蝶設計研發完成，并于2020-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本電路版圖檢測方法、裝置、設備和介質在說明書摘要公布了：本申請實施例公開一種電路版圖檢測方法、裝置、設備和介質，用于解決相關技術中風險點檢測效率低下的問題。本申請實施例中，對同類型場氧之間的距離進行識別分析，當距離較小且未注入不同類型的場氧時，容易導致產生寄生三極管導致芯片可靠性下降。故此，本申請實施例對同類型場氧之間的距離進行檢測并識別是否存在不同類型場氧，從而定位出風險點，能夠自動排除無風險地方，并自動檢測出風險點供工程師進一步校驗，以此來提高檢測效率。
本發明授權電路版圖檢測方法、裝置、設備和介質在權利要求書中公布了：1.一種電路版圖檢測方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取目標電路版圖； 從所述目標電路版圖中提取出以下圖層：由所有場氧和N型注入場氧進行邏輯與操作得到的第一圖層NPOD、由所有場氧和P型注入場氧進行邏輯與操作得到的第二圖層PPOD、由與存儲功能區域的所有場氧OD_RAM金屬連接的器件層減去所有場氧得到的第三圖層OD_DMY、由包含在具有存儲功能標簽RAM區域內的所有場氧構成的第四圖層OD_RAM、由所述第一圖層減去N阱之后并減去高壓阱得到的第五圖層NOD； 由所述NOD減去所述OD_DMY得到N型場氧層NOD_CHECK； 由所述N阱和所述高壓阱的合集與所述PPOD的交集組成的第六圖層POD； 由所述POD減去所述OD_DMY得到的P型場氧層POD_CHECK； 其中，目標場氧層包括所述NOD_CHECK和所述POD_CHECK； 從所述目標場氧層中識別出多個場氧的相對位置關系； 根據所述相對位置關系，當識別出任何兩同類型場氧之間的距離小于預設距離且所述兩同類型場氧之間未注入異型場氧時，輸出所述兩同類型場氧存在寄生三極管的提示信息。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司，其通訊地址為：519070 廣東省珠海市前山金雞西路789號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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