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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司申請(qǐng)的專利換能器探頭、制作方法及醫(yī)用設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114377929B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011115530.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B06B1/06；該發(fā)明授權(quán)換能器探頭、制作方法及醫(yī)用設(shè)備是由陳昱;張池;王開安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-19向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本換能器探頭、制作方法及醫(yī)用設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N換能器探頭、制作方法及醫(yī)用設(shè)備。所述換能器探頭包括基底芯片、絕緣層、雙壓電層和導(dǎo)電組件。絕緣層覆蓋在所述基底芯片的上表面。雙壓電層設(shè)置在所述絕緣層上表面，包括壓力層、超聲層和位于所述壓力層和超聲層中間并能夠屏蔽超聲層和壓力層之間信號(hào)干擾的隔離層；所述超聲層位于所述壓力層的上方。導(dǎo)電組件包括用于電連接所述基底芯片與所述壓力層的第一導(dǎo)電組件和用于電連接所述基底芯片與所述超聲層的第二導(dǎo)電組件。本申請(qǐng)將具有壓力探測(cè)的壓力層和具有超聲成像功能的超聲層設(shè)置在一個(gè)換能器探頭結(jié)構(gòu)中，壓力信號(hào)和超聲信號(hào)同步獨(dú)立檢測(cè)，因此能夠在進(jìn)行壓力探測(cè)的同時(shí)還可進(jìn)行超聲成像，拓展了產(chǎn)品的功能，拓寬了應(yīng)用場(chǎng)景。

本發(fā)明授權(quán)換能器探頭、制作方法及醫(yī)用設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種換能器探頭，其特征在于，包括： 基底芯片； 絕緣層，覆蓋在所述基底芯片的上表面； 雙壓電層，設(shè)置在所述絕緣層上表面，包括壓力層、超聲層和位于所述壓力層和所述超聲層中間并能夠屏蔽所述超聲層和所述壓力層之間信號(hào)干擾的隔離層；所述超聲層位于所述壓力層的上方； 導(dǎo)電組件，包括用于電連接所述基底芯片與所述壓力層的第一導(dǎo)電組件和用于電連接所述基底芯片與所述超聲層的第二導(dǎo)電組件； 其中，壓力層包括第一電極層、壓力壓電層和第二電極層；所述第一電極層設(shè)置在所述絕緣層的上表面；所述壓力壓電層設(shè)置在所述絕緣層上并將所述第一電極層覆蓋；所述壓力壓電層上布置若干陣列排布的壓電換能器單元；所述第二電極層設(shè)置在所述壓力壓電層的上表面；在所述壓力壓電層接受到壓力時(shí)，所述第一電極層和所述第二電極層用于將所述壓電換能器單元產(chǎn)生的壓力信號(hào)傳輸至所述基底芯片； 超聲層包括第三電極層、超聲壓電層和第四電極層；所述第三電極層位于所述隔離層的上方；所述超聲壓電層設(shè)置在所述隔離層上并將所述第三電極層覆蓋，用于產(chǎn)生超聲信號(hào)；所述第四電極層設(shè)置在所述超聲壓電層的上表面；在所述超聲壓電層接受到壓力時(shí)，所述第三電極層和所述第四電極層用于將超聲換能器單元產(chǎn)生的超聲信號(hào)傳輸至所述基底芯片。

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