聯華電子股份有限公司易延才獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利磁阻式隨機存取存儲器元件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115483344B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110599237.6，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權磁阻式隨機存取存儲器元件及其制作方法是由易延才;蔡緯撰;邱勁硯;柯賢文設計研發完成，并于2021-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本磁阻式隨機存取存儲器元件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種磁阻式隨機存取存儲器元件及其制作方法，其中該制作磁阻式隨機存存儲器元件的方法為，主要先形成一磁性隧穿結magnetictunnelingjunction,MTJ堆疊結構于基底上，然后形成第一上電極于該MTJ堆疊結構上，再形成一第二上電極于第一上電極上，其中第一上電極包含濃度梯度而第二上電極則較佳包含無濃度梯度。
本發明授權磁阻式隨機存取存儲器元件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種制作磁阻式隨機存取存儲器元件的方法，其特征在于，包含： 形成磁性隧穿結magnetictunnelingjunction,MTJ堆疊結構于基底上； 形成第一上電極于該磁性隧穿結堆疊結構上，其中該第一上電極包含濃度梯度；以及 形成第二上電極于該第一上電極上，其中該第二上電極直接接觸該第一上電極，該第二上電極包含無濃度梯度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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