南亞科技股份有限公司徐嘉祥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利半導體元件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114078821B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110703436.7，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體元件及其制備方法是由徐嘉祥設計研發完成，并于2021-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體元件及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導體元件及該半導體元件的制備方法。該半導體元件具有一基底、一介電層、一栓塞以及一導電聚合物的著陸墊；該介電層設置在該基底上；該栓塞設置在該介電層中；該導電聚合物的著陸墊設置在該介電層上。該方法包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介電層在該基底上；執行一蝕刻制程，以移除該介電層的一部分，進而暴露該栓塞的一突出部；形成一導電聚合物層，以覆蓋介電層與該突出部；以及執行一熱處理，以自對準方法形成一著陸墊在該介電層上。導電聚合物的該著陸墊包括該栓塞的一突出部、一第一硅化物層以及一第二硅化物層；該第一硅化物層設置在該突出部上；該第二硅化物層設置在該突出部的一側壁上。
本發明授權半導體元件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件，包括： 一基底； 一介電層，設置在該基底上； 一栓塞，設置在該介電層中，其中該栓塞具有一突出部，該突出部具有一第一寬度； 一著陸墊，設置在該介電層上，其中該著陸墊包含導電聚合物，且該著陸墊具有一第二寬度，該第二寬度是較大于該突出部的該第一寬度；以及 一電容接觸點，位在該基底上，該著陸墊設置在該電容接觸點上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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